[发明专利]一种功率器件过流保护电路

权利要求书

1.一种功率器件过流保护电路，其特征在于，包括第一增强型器件、第二增强型器件、第三增强型器件、升压元件；

第一增强型器件的栅极分别连接第二增强型器件的栅极和第三增强型器件的漏极，第二增强型器件的漏极连接第一增强型器件的漏极，第二增强型器件的源极分别连接第三增强型器件的栅极和升压元件的一端，升压元件的另一端连接第三增强型器件的源极、第一增强型器件的源极和接地端。

2.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，所述第一增强型器件和所述第二增强型器件分别为同一功率器件的MainFET和SenseFET。

3.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，所述升压元件具体为第一电阻，所述第一电阻具体为第一二维电子气电阻或者第一金属电阻。

4.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，所述升压元件为由多个二极管以阴极连接阳极的方式串联形成的第一二极管串，所述第一二极管串具有阳极端和阴极端；第一二极管串的阳极端连接第二增强型器件的源极，第一二极管串的阴极端连接第三增强型器件的源极、第一增强型器件的源极和接地端；；其中，所述第一二极管串的开启电压大于第三增强型器件的阈值电压和第一增强型器件的导通电压；所述第一二极管串的二极管为肖特基/PN结二极管或者通过GaN FET栅源短接构成，当通过GaN FET栅源短接构成时，所述第一二极管串中的二极管都基于同一氧化镓功率器件制备工艺形成。

5.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，还包括用于与第一驱动单元相连的第一电压信号输入端和第二电压信号输入端，所述第一电压信号输入端分别连接第二增强型器件的栅极、第一增强型器件的栅极和第三增强型器件的漏极，第二电压信号输入端连接接地端。

6.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，还包括用于与第一驱动单元相连的第一电压信号输入端、第二电压信号输入端和用于与第二驱动单元相连的第三电压信号输入端、第四电压信号输入端，所述第三电压信号输入端连接第二增强型器件的栅极，所述第四电压信号输入端连接接地端，所述第一电压信号输入端分别连接第一增强型器件的栅极、第三增强型器件的漏极，所述第二电压信号输入端连接接地端。

7.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，在第一增强型器件的栅极和所述第三增强型器件的漏极之间还连接有由多个二极管以阴极连接阳极的方式串联形成的第二二极管串，所述第二二极管串具有阴极端和阳极端，第一增强型器件的栅极连接所述第二二极管串的阳极端，第三增强型器件的漏极连接所述第二二极管串的阴极端，其中，所述第二二极管串的开启电压小于第一增强型器件的栅极驱动电压，所述第二二极管串中的二极管为肖特基/PN结二极管或者通过GaN FET栅源短接构成；当通过GaN FET栅源短接构成时，所述第二二极管串中的二极管都基于同一氧化镓功率器件制备工艺形成。

8.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，在第二增强型器件的栅极和第一增强型器件的栅极之间还连接有第二电阻，第二增强型器件的栅极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接第一增强型器件的栅极和第三增强型器件的漏极。

9.根据权利要求8所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，所述第二电阻具体为第二二维电子气电阻或者第二金属电阻。

10.根据权利要求1所述的功率器件过流保护电路，其特征在于，所述第一增强型器件、第二增强型器件、第三增强型器件、升压元件都基于同一氧化镓功率器件制备工艺形成。