[发明专利]一种射频前端电路及无线通信芯片

权利要求书

1.一种射频前端电路，其特征在于，包括：功率放大器、低噪声放大器、变压器、天线、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；

所述功率放大器的第一输入端和第二输入端用于接入输入信号，所述功率放大器的第一输出端与所述变压器第一侧的第一端连接，所述功率放大器的第二输出端与所述变压器第一侧的第二端连接；

所述低噪声放大器的输入端通过所述第一开关与所述天线和所述变压器第二侧的第一端连接，所述低噪声放大器的输出端与所述变压器第二侧的第二端连接，并通过所述第二开关与所述功率放大器共地；

所述变压器第一侧的两端还作为差分信号输出端，并分别通过所述第三开关和所述第四开关接地，所述变压器第一侧的中心抽头与所述功率放大器的电源正极连接。

2.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述低噪声放大器包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第一电容、第一电阻和偏置电流源；

所述第一PMOS管的栅极与所述第一电容的第一端连接，其公共端作为所述低噪声放大器的输入端，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，其公共端作为所述低噪声放大器的输出端，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接；

所述第二PMOS管的源极与为所述低噪声放大器供电的电源正极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接；

所述第三PMOS管的源极与所述偏置电流源连接；

所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端和所述第一NMOS管的栅极连接；

所述第一电阻的第二端与所述低噪声放大器的基准电压连接；

所述第一NMOS管的源极与为所述低噪声放大器供电的电源负极连接。

3.根据权利要求2所述的射频前端电路，其特征在于，所述低噪声放大器的等效输入阻抗为50欧姆。

4.根据权利要求3所述的射频前端电路，其特征在于，所述低噪声放大器的输入端和输出端之间接入有复阻抗，且满足第一公式；

其中，所述第一公式为：

Zin为所述等效输入阻抗，g_m为所述第一NMOS管的跨导，R_out为所述低噪声放大器的等效输出阻抗，Z_f为所述复阻抗。

5.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述功率放大器包括：第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；

所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的漏极作为所述功率放大器的两个输出端，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的栅极与所述功率放大器的基准电压连接，所述第二NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接；

所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的栅极作为所述功率放大器的两个输入端，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的源极接地。

6.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，还包括：第一匹配电容；

所述第一匹配电容并联于所述低噪声放大器的输入端和输出端之间。

7.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，还包括：第二匹配电容和第三匹配电容；

所述第二匹配电容设置于所述第三开关与地之间，所述第三匹配电容设置于所述第四开关与地之间。

8.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关为MOS管，所述MOS管的栅极与控制器连接，用于控制所述MOS管的通断。

9.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，还包括：隔直电容；所述天线通过所述隔直电容与所述第一开关和所述变压器第二侧的第一端连接。

10.一种无线通信芯片，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的射频前端电路。