[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211057186.5 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115313154A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵飞云;任翱博;巫江;唐枝婷;李妍 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、氧化层、电子阻挡层、有源区、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极。
2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述电子阻挡层包括AlxGa1-xAsySb1-y，组分变化范围为：x＝0.4-0.8，y＝0.8-1。
3.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述电子阻挡层厚度为10-20nm。
4.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：掺杂浓度范围为1×1017cm-3—2×1018cm-3。
5.根据权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述P电极和N电极的材质为金、铜、石墨、银或锡中的任一种。
6.根据权利要求1～5任一项所述一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、在衬底上依次外延N型布拉格反射镜组、有源区、电子阻挡层、氧化层、P型布拉格反射镜组；
S2、在所述P型布拉格反射镜组远离衬底的一侧制作P电极，在所述衬底远离所述N型布拉格反射镜组的一侧制作N电极，完成激光器的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211057186.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
