[发明专利]一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构

权利要求书

1.一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于，包括：

压电基板；

叉指换能器，包括两组呈变化周期分布的指条，并呈叉指型交替间隔设置；

温度补偿层，涂覆于叉指换能器上；

悬浮金属条，设置至少两组，并嵌入所述温度补偿层内；两组所述指条端部正上方，以及与指条端部对齐的另一组指条根部正上方均分布有悬浮金属条；所述悬浮金属条由若干沿垂直于指条方向分布并与指条一一对应的抑制结构组成，沿指条方向的宽度随周期的变化呈正相关变化趋势，沿垂直于指条方向的长度也随周期的变化呈正相关变化趋势，改变波速分布进而抑制横向寄生模的激发。

2.根据权利要求1所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：若干所述抑制结构的厚度统一。

3.根据权利要求2所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：处于所述指条正上方的悬浮金属条中，若干所述抑制结构的外边缘与指条端部外缘呈对齐设置，抑制周期变化的声耦合滤波器横向寄生模。

4.根据权利要求3所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：所述抑制结构呈矩形，沿指条方向的宽度与对应的指条周期成正比，沿垂直于指条方向的长度不超过对应的指条周期；并满足：

0.5＜d_n/P_n＜2，

L_n≤P_n，

n=1，2，3……

其中，d_n：指条的宽度，L_n：指条的长度，P_n：对应指条的周期；

构成的所述悬浮金属条的内边缘呈阶梯形。

5.根据权利要求3所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：所述抑制结构呈直角梯形，沿垂直于指条方向的长度不超过对应的指条周期，若干所述抑制结构的斜边呈平滑形；并满足：

L_n≤P_n，

S=γP_n²+γP_n+1²，

n=1，2，3……

其中，

L_n：指条的长度；

S：任意相邻的所述抑制结构的面积之和；

γ：计算系数，范围为0.5～2；

P_n、P_n+1：所述抑制结构对应的相邻指条的周期。

6.根据权利要求2所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：处于所述指条正上方的悬浮金属条中，若干所述抑制结构的外边缘呈非对齐设置，抑制周期变化的声耦合滤波器横向寄生模。

7.根据权利要求6所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：所述抑制结构呈矩形，沿指条方向的宽度与对应的指条周期成正比，沿垂直于指条方向的长度不超过对应的指条周期；并满足：

0.5＜d_n/P_n＜2，

L_n≤P_n，

n=1，2，3……

其中，d_n：指条的宽度，L_n：指条的长度，P_n：对应指条的周期；

构成的所述悬浮金属条呈塔形设置，内、外边缘均呈阶梯形。

8.根据权利要求1-7任一项所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：所述叉指换能器包括相对间隔设置的第一汇流电极及第二汇流电极，由第一汇流电极向第二汇流电极方向延伸的若干第一叉指电极，由第二汇流电极向第一汇流电极方向延伸的若干第二叉指电极；若干所述第一叉指电极与第二叉指电极构成两组指条，一对所述悬浮金属条分别处于第一叉指电极远离第一汇流电极的一侧端部上方，以及第二叉指电极远离第二汇流电极的一侧端部上方。

9.根据权利要求1-7任一项所述的一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构，其特征在于：所述温度补偿层选用具有正频率温度系数的材料，采用二氧化硅、二氧化碲、氟氧化硅中任意一种或多种的组合。