[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有原生氧化层；

对所述原生氧化层进行氟离子掺杂；

对位于所述原生氧化层底部的所述半导体衬底进行氧化处理，以形成氧化层，且所述氧化处理采用的气体与所述原生氧化层发生反应，将所述原生氧化层转化为气态的副产物，以去除所述原生氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氟离子掺杂采用的方法包括：提供含氟气体；对所述含氟气体进行解耦等离子体处理，以形成氟等离子体；所述氟等离子体注入所述原生氧化层内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述含氟气体包括在常温下为气态的含氟化合物。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，所述含氟化合物包括XeF₂。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氟离子掺杂采用的工艺参数包括：提供的电源功率为1500W～2200W，电源占空比为10％～50％，腔室压强为10mt～50mt。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氟离子掺杂采用的方法包括：在所述原生氧化层表面形成含氟掺杂层；进行退火处理，使所述含氟掺杂层内的氟离子扩散进入所述原生氧化层；去除所述含氟掺杂层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理包括微波退火、闪光退火或激光退火。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化处理采用的气体包括氢气和氧气。

9.根据权利要求1或8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述原生氧化层的材料为氧化硅；所述氧化处理中形成氢氟酸，且所述氢氟酸与所述原生氧化层发生反应，以将所述原生氧化层转化为气态的氟硅化合物以及水汽。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，所述氧化处理采用的方法包括原位水汽生成氧化法。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化处理包括：先后进行的第一氧化步骤以及第二氧化步骤，且所述第一氧化步骤中所述氢气的流量大于所述氧化步骤中所述氢气的流量，所述第一氧化步骤采用的工艺温度小于所述第二氧化步骤采用的工艺温度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化步骤中所述氢气流量为所述第二氧化步骤中所述氢气流量的1.005～1.05倍。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二氧化步骤中所述氢气的流量为0.1slm～2slm。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化处理中所述氧气的流量为10slm～30slm。

15.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化步骤采用的工艺温度为400℃～600℃；所述第二氧化步骤采用的工艺温度为900℃～1100℃。

16.根据权利要求1或11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化处理中，腔室压强为8torr～20torr。

17.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在进行所述氟离子掺杂之前，还包括：对所述原生氧化层进行预清洗处理，以减小所述原生氧化层的厚度。

18.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化层为栅氧化层。