[发明专利]一种稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构及其籽晶稳定方法

权利要求书

1.一种稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构，包括副室(1)，其特征在于：所述副室(1)的内部设置有重锤(4)，所述副室(1)的内部位于重锤(4)的顶部处安装有定位环(2)，所述重锤(4)的顶端连接有钨丝绳(3)，所述重锤(4)的底端安装有夹头(5)，所述夹头(5)的底端夹持有籽晶(6)，所述定位环(2)的设计如下：在所述副室(1)上沿下方中心焊接定位环(2)，所述定位环(2)为环形状，其圆心和钨丝绳(3)中心同心，所述定位环(2)内径大于重锤上沿外径2-4mm；所述定位环(2)的壁厚5-10mm，高度30-60mm。

2.根据权利要求1所述的稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构，其特征在于：钨丝绳(3)的底端安装有挂钩，所述重锤(4)的顶端安装有提拉环，所述钨丝绳(3)的底端挂钩与提拉环连接。

3.根据权利要求1所述的稳定单晶籽晶的单晶炉副室，其特征在于：所述副室(1)的一侧外壁设置有观察窗(11)。

4.一种用于权利要求1-3任一项所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、加料完成后，取下料筒，将籽晶(6)伸入副室(1)内部靠近观察窗(11)位置，并将其停止；

S1、旋转并下降副室(1)，使副室(1)和单晶炉连接在一起；

S3、点击副室净化工序，进行副室(1)净化；

S4、副室(4)净化时，籽晶(6)会自动上升，直至重锤(4)伸入定位环(2)后停止，此时定位环(2)将重锤(4)固定住，使籽晶(6)不再晃动；

S5、固定2-3min后，籽晶(6)自动下降至设定的下限位时，停止；

S6、完成副室(1)净化，打开隔离阀，下降籽晶(6)，进行调温。

5.根据权利要求4所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述副室(1)的净化参数包括：抽真空1副室压力、快充1副室压力、抽真空1副室压力、快充1副室压力、抽真空2/快充循环次数、最终压力与主室压力偏差、籽晶上升启动时间、籽晶上升上限位、籽晶稳定时间、籽晶下降下限位、籽晶上升/下降速度。

6.根据权利要求5所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述籽晶上升启动时间为：在点击副室净化按钮后，籽晶(6)上升的起始时间。

7.根据权利要求5所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述籽晶上升上限位为：当重锤(4)伸入本专利技术方案下的定位环时，籽晶的位置；当籽晶上升至上限位后，籽晶自动停止上升，避免重锤和副室产生磕碰。

8.根据权利要求5所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述籽晶稳定时间为：当籽晶(6)上升至上限位后，籽晶(6)停止升降，在上限位停留的时间，该段时间主要用于籽晶(6)的稳定，在该时间段内，因重锤(4)和定位环(2)的装配，重锤(4)逐渐由晃动状态变为静止状态，使得籽晶(6)稳定下来。

9.根据权利要求5所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述籽晶下降下限位为：当到达籽晶(6)稳定时间后，籽晶(6)自动下降，当降低到下限位时，籽晶(6)自动停止，籽晶(6)的下限位，籽晶(6)处于副室(1)下沿观察窗(11)位置，人员可通过副室(1)的观察窗(11)，确认籽晶(6)是否已经完全稳定。

10.根据权利要求5所述的用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法，其特征在于：所述籽晶上升/下降速度为：籽晶(6)自动上升和自动下降时的速度。