[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211068385.6 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115295699A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 方斌;陈被被;汪俊;叶铎;刘加云;蔡家豪;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.发光二极管，至少包括：
半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层连接；
第二电极，与所述第二半导体层连接；
其特征在于，所述第一电极和/或第二电极依次包括接触层、反射层、中间层和Au层，所述中间层包括交替叠置的Ni层和Pt层，所述Ni层的厚度不大于所述Pt层的厚度，所述Au层包覆接触层、反射层及中间层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述Au层的厚度为10000Å～20000Å，所述中间层的厚度为1600Å～9600Å。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述Au层的厚度与中间层的厚度比例介于1:1~5:1。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述中间层中Ni层和Pt层的层数相同，Ni层和Pt层的层数均设置为1~4层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，单层的Ni层的厚度为800Å～1200Å，单层的Pt层的厚度为800Å～1200Å。
6.根据权利要求1或5所述的发光二极管，其特征在于，所述Au层的厚度与单层Ni层的厚度比例介于1:1~20:1，所述Au层的厚度与单层Pt层的厚度比例介于1:1~20:1。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极的每一上层对每一相邻下层进行包覆。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的材料为Cr、Ti或者Nb，所述反射层的材料为Al或者Ag。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体叠层、第一电极和第二电极的表面还设置有钝化层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为SiO2、SiC、SiN、Al2O3或前述任意组合。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为正装发光二极管、倒装发光二极管或者垂直发光二极管。
12.发光二极管的制作方法，包括如下步骤：
提供一衬底，于所述衬底上生长半导体叠层，所述半导体叠层包括依次沉积的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
在第一半导体层和第二半导体层上形成电极制作区，并于第一半导体层、第二半导体层上的电极制作区分别制作第一电极、第二电极；
其特征在于：所述第一电极和/或第二电极依次包括接触层、反射层、中间层和Au层，所述中间层包括交替叠置的Ni层和Pt层，所述Ni层的厚度不大于所述Pt层的厚度，所述Au层包覆接触层、反射层及中间层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，还包括在所述半导体叠层、第一电极和第二电极表面沉积钝化层。
14.根据权利要求12所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极采用蒸镀的方式制备形成。
15.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述Ni层的蒸镀速率不小于1Å/s。
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