[发明专利]飞时测距传感器与其制造方法

权利要求书

1.一种飞时测距传感器，其特征在于，包含：

基板；

单光子雪崩侦测芯片，黏着于该基板之上；

垂直空腔面射型雷射，亦黏着于该基板之上；

第一窄带滤光片，设置于该单光子雪崩侦测芯片的上方；

第二窄带滤光片，设置于该垂直空腔面射型雷射的上方；以及

树脂外壳，包覆该第一窄带滤光片以及该第二窄带滤光片，且该第一窄带滤光片的上表面以及该第二窄带滤光片的上表面与该树脂外壳的上表面共平面。

2.如权利要求1所述之飞时测距传感器，其特征在于，该单光子雪崩侦测芯片，包含：

单光子雪崩二极管；以及

芯片保护层，形成于该单光子雪崩二极管的周围。

3.如权利要求2所述之飞时测距传感器，其特征在于，更包含：

金属线，连接于该单光子雪崩侦测芯片以及该基板之间。

4.如权利要求2所述之飞时测距传感器，其特征在于，更包含第一胶框，围绕于该单光子雪崩侦测芯片的周围。

5.如权利要求4所述之飞时测距传感器，其特征在于，更包含第二胶框，围绕于该垂直空腔面射型雷射的周围。

6.如权利要求5所述之飞时测距传感器，其特征在于，该第一胶框或该第二胶框，系由液态胶固化所形成之胶框。

7.如权利要求5所述之飞时测距传感器，其特征在于，该第一胶框或该第二胶框，系由双面胶带所形成之胶框。

8.如权利要求5所述之飞时测距传感器，其特征在于，该树脂外壳围绕该第一胶框以及该第二胶框外围。

9.如权利要求2所述之飞时测距传感器，其特征在于，更包含第一胶框，形成于该单光子雪崩侦测芯片的该芯片保护层之上，并围绕该单光子雪崩二极管。

10.如权利要求9所述之飞时测距传感器，其特征在于，该第一窄带滤光片的上表面的表面积小于该单光子雪崩侦测芯片的上表面的表面积。

11.一种飞时测距传感器制造方法，其特征在于，包含：

提供基板；

黏着单光子雪崩侦测芯片于该基板之上；

黏着垂直空腔面射型雷射于该基板之上；

设置框胶；

贴合第一窄带滤光片，于该单光子雪崩侦测芯片的上方；

贴合第二窄带滤光片，于该垂直空腔面射型雷射的上方；以及

利用压模封胶，形成树脂外壳，包覆该第一窄带滤光片以及该第二窄带滤光片，且该第一窄带滤光片的上表面以及该第二窄带滤光片的上表面与该树脂外壳的上表面共平面。

12.如权利要求11所述之飞时测距传感器制造方法，其特征在于，更包含：

利用研磨制程，以使该第一窄带滤光片的上表面以及该第二窄带滤光片的上表面与该树脂外壳的上表面共平面。

13.如权利要求11所述之飞时测距传感器制造方法，其特征在于，该单光子雪崩侦测芯片，包含：

单光子雪崩二极管；以及

芯片保护层，形成于该单光子雪崩二极管的周围。

14.如权利要求13所述之飞时测距传感器制造方法，其特征在于，更包含：

利用焊线制程，将金属线，连接于该单光子雪崩侦测芯片以及该基板之间。

15.如权利要求13所述之飞时测距传感器制造方法，其特征在于，该设置框胶的步骤，包含：

利用该框胶，形成第一胶框，围绕于该单光子雪崩侦测芯片的周围，以及形成第二胶框，围绕于该垂直空腔面射型雷射的周围。