[发明专利]折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线在审
申请号: | 202211070742.2 | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN115332763A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 袁家德;牛琛琛;许志猛 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/42;H01Q1/48;H01Q1/52;H01Q5/10;H01Q5/314;H01Q7/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 折叠 超高频 rfid 双面 金属 标签 天线 | ||
1.一种折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:包括:由顶部导体层(4)、底部导体层(5)和中间层构成的三层结构;
所述中间层上设置有呈嵌套设置的第一变形环(1)、第二变形环(2)、第三变形环(3)和芯片(8);
所述第一变形环(1)呈U型,位于中间层的最外侧;所述第二变形环(2)呈U型,位于第一变形环(1)的内侧;所述第三变形环(3)呈方环结构,位于第二变形环(2)的内侧;所述芯片(8)设置在第三变形环(3)两个弯折臂之间的狭长缝隙处;
所述顶部导体层(4)、底部导体层(5)和中间层之间由绝缘材料填充,三层结构的一侧由左侧短接线(6)连接顶部导体层(4)和底部导体层(5),另一侧由右侧五段短接线(7)连接三个变形环和底部导体层(5)。
2.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述第一变形环(1)的宽度与标签天线的宽度相同,在靠近第一变形环(1)左侧终端的位置处开设有一条与第一变形环(1)等宽的窄槽,用于调节标签天线两侧的频点。
3.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述第二变形环(2)在靠近左侧终端的位置处开设有四条尺寸相同的长方形窄槽,在第二变形环(2)的左端形成“田”字型结构,用于微调标签天线两侧的频点。
4.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述第三变形环(3)的左侧金属部分蚀刻有一个“T”型金属结构以及形成一个“C”型金属结构,靠近芯片两端口的部分为弯折臂结构,所述弯折结构用于降低标签天线两侧的谐振频点。
5.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述左侧短接线(6)为棱形结构;所述右侧五段短接线(7)由五段互不连接的长方形导体构成,其中的两段用于连接第一变形环(1)U型结构的两端、两段用于连接第二变形环(2)U型结构的两端、一段用于连接第三变形环(3)。
6.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述绝缘材料包括泡沫(9)和软薄膜(10)。
7.根据权利要求1所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述顶部导体层(4)和底部导体层(5)均为长方形结构,尺寸相同。
8.根据权利要求6所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述第一变形环(1)、第二变形环(2)、第三变形环(3)、顶部导体层(4)、底部导体层(5)为金属材质;所述软薄膜(10)覆盖在顶部导体层(4)和底部导体层(5)的内表面,以及中间层的第一变形环(1)、第二变形环(2)和第三变形环(3)表面,并覆盖在泡沫(9)周围,两块相同的泡沫分别设置在顶部导体层(4)和中间层之间,以及中间层和底部导体层(5)之间。
9.根据权利要求8所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:所述软薄膜(10)采用聚对苯二甲酸乙二酯薄膜或聚对苯二甲酸丁二酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。
10.根据权利要求8所述的折叠型超高频RFID双面抗金属标签天线,其特征在于:通过折叠形成标签天线的过程为:设未折叠的标签天线的左侧为顶部导体层(4),右侧为第一变形环(1)、第二变形环(2)、第三变形环(3)共同构成的中间层;将一块泡沫粘在底部导体层(5)的上方,然后将由第一变形环(1)、第二变形环(2)、和第三变形环(3)共同构成的中间层沿着该泡沫的右边缘向左缠绕,并在中间层的顶部粘贴第二块相同的泡沫,最后,通过将顶部导体层(4)沿第二块泡沫的左边缘向右折叠以完全覆盖下层全部结构;折叠后,左侧短接线(6)位于天线左侧面,右侧五段短接线(7)位于天线右侧面。
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