[发明专利]一种半导体清洗剂及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体清洗剂，其特征在于，由A组分和B组分组成；所述A组分由以下重量份原料组成：20-30份有机酸、2-8份络合剂、8-12份表面活性剂、80-100份水、11-15份助剂；所述B组分由以下重量份原料组成：10-20份碱性物质、5-8份助溶剂、100-120份水；所述有机酸由琥珀酸、蓖麻油酸和甘氨酸混合而得，所述琥珀酸和蓖麻油酸的质量比为(3-5):2，所述甘氨酸的添加量为琥珀酸和蓖麻油酸总量的20-30%，所述络合剂由质量比为3:(1-5)的乙二胺四乙酸四钠、葡萄糖酸钠复配而得；所述表面活性剂由质量比为(3-7):2:(1-5)的槐糖脂、烷基糖苷与椰油酰基甲基牛磺酸钠混合而得；所述碱性物质为氢氧化钠和三乙醇胺按照质量比为(11-15):12进行混合；所述助溶剂为乙二醇丁醚和/或蓖麻油与环氧乙烷缩合物；所述助剂由以下重量份原料及方法制得：3-4份酒石酸、2-3份3-(2-氨乙基)-氨丙基三甲氧基硅烷、2-3份羧甲基壳聚糖、4-5份PEG-6000单油酸酯、15-18份异丙醇，将3-(2-氨乙基)-氨丙基三甲氧基硅烷、异丙醇混合，加热至60-70℃，在转速为600-800r/min下，搅拌20-30min后，再加入酒石酸、羧甲基壳聚糖、PEG-6000单油酸酯，升温至75-80℃，在转速为800-1000r/min下，搅拌30-40min，即得助剂；所述的半导体清洗剂制备方法如下：

S1、A组分的制备：按配方，取有机酸、络合剂、表面活性剂、助剂加入水中，在水浴温度为50-60℃，以转速为1000-2000r/min搅拌30-60min，进行充分混合后，得A组分，备用；

S2、B组分的制备：按配方，取碱性物质、助溶剂加入水，超声分散10-30min，得B组分，备用；

S3、步骤S1得到的A组分与步骤S2得到的B组分按质量比为(3-7):5，分别进行封装后，组合获得半导体清洗剂。

2.一种权利要求1所述的半导体清洗剂的制备方法，其特征在于，所述半导体清洗剂的制备方法如下：

S1、A组分的制备：按配方，取有机酸、络合剂、表面活性剂、助剂加入水中，在水浴温度为50-60℃，以转速为1000-2000r/min搅拌30-60min，进行充分混合后，得A组分，备用；

S2、B组分的制备：按配方，取碱性物质、助溶剂加入水，超声分散10-30min，得B组分，备用；

S3、步骤S1得到的A组分与步骤S2得到的B组分按质量比为(3-7):5，分别进行封装后，组合获得半导体清洗剂。