[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和移动体

权利要求书

1.一种光电转换装置，其包括在具有第一面和与所述第一面相对的第二面的层中设置的多个雪崩二极管，

其中，所述多个雪崩二极管各自包括位于第一深度的第一导电类型的第一区域、位于第二深度的第二导电类型的第二区域以及位于第三深度的所述第二导电类型的第三区域，相对于所述第二面，所述第二深度大于所述第一深度，并且相对于所述第二面，所述第三深度大于所述第二深度，

其中，所述层包括设置在所述第一面中的多个结构，并且

其中，所述多个结构的有效周期小于hc/E_a，h表示普朗克常数[J·s]，c表示光速[m/s]，并且E_a表示基板的带隙[J]。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，所述多个结构包括沟槽结构，并且

其中，所述沟槽结构的宽度小于hc/2E_a。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，所述第一导电类型的第四区域位于所述第二区域与所述第三区域之间，并且

其中，所述第四区域的第一类型的杂质浓度低于所述第一区域的第一类型的杂质浓度。

4.根据权利要求3所述的光电转换装置，其中，在与所述第一面垂直的方向的平面图中，所述多个结构与所述第四区域交叠的面积大于所述多个结构不与所述第四区域交叠的面积。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，第五区域位于所述第一深度处，在从所述第一面的平面图中所述第五区域包围所述第一区域，并且

其中，所述第五区域的杂质浓度低于所述第一区域的杂质浓度。

6.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中，所述第一区域与所述第二区域之间的电位差大于所述第二区域与所述第五区域之间的电位差。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在与所述第一面垂直的方向的平面图中，所述第一区域与所述第二区域之间的倍增区域由所述多个结构覆盖。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置，其中，在与所述第一面垂直的所述方向的所述平面图中，所述多个结构的重心位置包括在所述倍增区域中。

9.根据权利要求7所述的光电转换装置，

其中，所述多个雪崩二极管包括第一雪崩二极管和与所述第一雪崩二极管相邻的第二雪崩二极管，并且

其中，像素隔离部分设置在所述第一雪崩二极管与所述第二雪崩二极管之间。

10.根据权利要求9所述的光电转换装置，

其中，所述多个雪崩二极管包括与所述第二雪崩二极管相邻的第三雪崩二极管，

其中，第一像素隔离部分设置在所述第一雪崩二极管与所述第二雪崩二极管之间，

其中，第二像素隔离部分设置在所述第二雪崩二极管与所述第三雪崩二极管之间，并且

其中，在与所述第一面垂直的横截面中，所述第二雪崩二极管的所述第二区域从所述第一像素隔离部分延伸到所述第二像素隔离部分。

11.根据权利要求10所述的光电转换装置，其中，在所述多个雪崩二极管中的各个中，从所述第一面到所述倍增区域的距离满足L√2/4dL×√2，其中，L是从所述像素隔离部分到最近的像素隔离部分的距离。

12.根据权利要求7所述的光电转换装置，所述光电转换装置还包括在所述多个结构的所述第一面侧上堆叠的抗反射膜，

其中，所述抗反射膜的折射率低于夹在所述多个结构在所述第二面侧的面与所述第一面之间的区域的有效折射率，在与所述第一面垂直的所述方向的所述平面图中，所述区域与所述倍增区域交叠。

13.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，在与所述第一面垂直的方向的平面图中，所述多个结构包括T形沟槽结构。