[发明专利]MOS与IGBT混合串联逆变电路及其控制方法

权利要求书

1.一种MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，包括：

直流侧电路和交流侧电路；

所述直流侧电路包括直流电源以及两个全桥开关支路；两个所述全桥开关支路的两端相连，且两个所述全桥开关支路相连的两端分别与所述直流电源的两端相连；

所述全桥开关支路包括第一开关组和第二开关组，所述第一开关组的一端与所述第二开关组的一端相连；其中，所述第一开关组包括SiC-MOS管，所述第二开关组包括第一IGBT管；

所述交流侧电路的两端分别与两个所述全桥开关支路电性连接，且连接点位于所述第一开关组和所述第二开关组之间；其中，一个所述全桥开关支路中的所述第一开关组经所述交流侧电路与另一个所述全桥开关支路中的所述第二开关组以及所述直流电源串联，构成一个混合串联逆变电路；

其中，工作时，在一个所述混合串联逆变电路内，所述第一开关组中的所述SiC-MOS管相对于所述第二开关组中的所述第一IGBT管滞后导通、超前关断。

2.根据权利要求1所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，所述第一开关组还包括第二IGBT管，所述第二IGBT管与所述SiC-MOS管同向并联，所述第二IGBT管的两端与所述SiC-MOS管的两端电性相连。

3.根据权利要求1所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，所述第二开关组包括多个所述第一IGBT管，多个所述第一IGBT管同向并联。

4.根据权利要求1-3任一所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，所述交流侧电路包括交流电源、稳压电容以及两个电感，所述交流电源与所述稳压电容并联，两个所述电感串联在所述交流电源的两端。

5.根据权利要求4所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，所述交流侧电路还包括交流开关支路，所述交流开关支路与所述交流电源并联，所述交流开关支路包括第三开关组和第四开关组，所述第三开关组和所述第四开关组均至少包括一个第三IGBT管，所述第三开关组和所述第四开关组串联，且所述第三开关组和所述第四开关组中的所述第三IGBT管反向连接。

6.一种MOS与IGBT混合串联逆变电路的控制方法，基于如权利要求1-5任一所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路，其特征在于，包括：

控制两个混合串联逆变电路循环交替导通和断开；

其中，控制任意一个所述混合串联逆变电路导通和断开具体包括：

控制第二开关组中的第一IGBT管导通；

控制第一开关组中的SiC-MOS管和交流侧电路导通，以使所述混合串联逆变电路导通；

控制所述第一开关组中的SiC-MOS管关断；

控制所述第二开关组中的第一IGBT管和所述交流侧电路关断，以使所述混合串联逆变电路关断。

7.根据权利要求6所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路的控制方法，其特征在于，当所述第二开关组包括多个所述第一IGBT管时，所述控制第二开关组中的第一IGBT管导通具体包括：控制多个所述第一IGBT管同时导通。

8.根据权利要求6所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路的控制方法，其特征在于，当所述第二开关组包括多个所述第一IGBT管时，所述控制所述第二开关组中的第一IGBT管关断具体包括：控制多个所述第一IGBT管同时关断。

9.根据权利要求6所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路的控制方法，其特征在于，当所述第一开关组包括SiC-MOS管和第二IGBT管时，所述控制第一开关组中的SiC-MOS管导通具体包括：

控制SiC-MOS管导通，控制第二IGBT管导通；

或控制SiC-MOS管和第二IGBT管同时导通。

10.根据权利要求6-9任一所述的MOS与IGBT混合串联逆变电路的控制方法，其特征在于，当所述第一开关组包括SiC-MOS管和第二IGBT管时，所述控制所述第一开关组中的SiC-MOS管关断具体包括：

控制第二IGBT管关断，控制SiC-MOS管关断；

或控制SiC-MOS管和第二IGBT管同时关断。