[发明专利]发光装置及制造发光装置的方法在审

专利信息
申请号: 202211081492.2 申请日: 2022-09-06
公开(公告)号: CN115915808A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 金世勋;李昌熙;河在国;姜鎭求;具永谟;金英一;金志允 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H10K50/155 分类号: H10K50/155;H10K50/165;H10K85/60;H10K71/12;H10K71/15
代理公司: 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 代理人: 刘慧红
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.发光装置,包括:

衬底;

设置在所述衬底上的阴极;

面对所述阴极的阳极;以及

布置在所述阴极和所述阳极之间并且包括发射层的有机层,

其中,所述有机层包括:

布置在所述发射层和所述阴极之间的电子传输区域;以及

布置在所述发射层和所述阳极之间的空穴传输区域,

其中,所述空穴传输区域包括:包括由式1表示的第一重复单元的第一化合物、由式2表示的第二化合物、由式5表示的第五化合物、或其任何组合:

式1

式1-1

式2

N3-(Ar21)n21-(L21)a21-(Ar22)n22-N3

式5

N3-(Ar51)n51-(L51)a51-(Ar52)n52-N3

其中,在式1、式1-1、式2和式5中,

Ar11至Ar13、Ar21、Ar22、Ar51和Ar52各自独立地为单键、未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60亚烷基、未被取代或被至少一个R10a取代的C2-C60亚烯基、未被取代或被至少一个R10a取代的C2-C60亚炔基、未被取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,

n11至n13、n21、n22、n51和n52各自独立地为从1至10的整数,

L11和L21各自独立地为单键、*-C(R1a)(R1b)-*'、*-C(R1a)=*'、*=C(R1a)-*'、*-C(R1a)=C(R1b)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R1a)-*'、*-N(R1a)-*'、*-O-*'、*-P(R1a)-*'、*-Si(R1a)(R1b)-*'、*-P(=O)(R1a)-*'、*-S-*'、*-S(=O)-*'、*-S(=O)2-*'或*-Ge(R1a)(R1b)-*',

L51为由式1表示的第一重复单元,

a11、a21和a51各自独立地为从1至20的整数,

R11为由式1-1表示的基团、未被取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,

i)R12为与式1中的相邻原子的结合位点,并且R13为氢,或ii)R12为氢,并且R13为与式1中的相邻原子的结合位点,

R14、R15、R1a和R1b各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未被取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未被取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未被取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未被取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未被取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基、未被取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)或-P(=O)(Q1)(Q2),

*和*'各自指示与相邻原子的结合位点,

R10a为:

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基;

C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基,它们各自未被取代或被以下取代:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任何组合;

C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基,它们各自为未被取代的或被以下取代:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任何组合;或

-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)或-P(=O)(Q31)(Q32),并且

Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地为:氢;氘;-F;-Cl;-Br;-I;羟基;氰基;硝基;C1-C60烷基;C2-C60烯基;C2-C60炔基;C1-C60烷氧基;或者C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团,它们各自未被取代或被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代。

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