[发明专利]陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构

权利要求书

1.一种陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采用HTCC工艺制备信号屏蔽通孔（5）被导体材料（4）填充的陶瓷板材，将陶瓷板材研磨至设定厚度作为陶瓷基板（1），在陶瓷基板（1）上打孔作为信号传输通孔（3）；

S2、在陶瓷基板（1）上依次溅射钛层（11）和钯层（12），钛层（11）厚度为0.5-5微米，钯层（12）厚度为0.2-0.5微米；然后遮挡预设的吸氢区，未遮挡区域为蚀刻区；

S3、在蚀刻区镀铜直至铜导体（30）填充信号传输通孔，然后在镀设的铜层上采用电镀或者溅射的方式依次形成镍层和金层；

S4、对蚀刻区进行蚀刻以形成线路，蚀刻完成后去除遮挡，获得加工完成的陶瓷基板（1）。

2.如权利要求1所述的陶瓷基板制备方法，其特征在于，S1中，每一个信号传输通孔（3）外周均绕有一圈信号屏蔽通孔（5）形成信号屏蔽环带。

3.如权利要求2所述的陶瓷基板制备方法，其特征在于，信号屏蔽环带为与对应的信号传输通孔（3）同轴的圆环结构，信号屏蔽环带上的信号屏蔽通孔（5）均匀分布，相邻两个信号屏蔽通孔之间的圆心角为22.5°到30°。

4.一种陶瓷基板，其特征在于，采用权利要求1或2或3所述的陶瓷基板制备方法获得。

5.如权利要求4所述的陶瓷基板，其特征在于，镍层（14）厚度为1.3-8.9微米，金层（15）厚度为0.5-2微米。

6.如权利要求4所述的陶瓷基板，其特征在于，信号传输通孔（3）的直径在75微米到150微米之间，铜层（13）的厚度大于或等于信号传输通孔（3）内铜导体（30）的半径。

7.如权利要求6所述的陶瓷基板，其特征在于，信号屏蔽通孔（5）内填充的导体材料（4）为钨导体；陶瓷基板（1）采用氮化铝材质。

8.一种微波器件封装外壳结构，其特征在于，包括金属围框（6）和采用权利要求1或2或3所述的陶瓷基板制备方法获得的陶瓷基板（1）；金属围框（6）与陶瓷基板（1）连接，以罩设设置在陶瓷基板（1）上的元件。

9.如权利要求8所述的微波器件封装外壳结构，其特征在于，金属围框（6）表层设有镍层和金层，金属围框（6）通过锡基钎料与加工完成的陶瓷基板（1）焊接。

10.一种微波器件，其特征在于，采用如权利要求8所述的微波器件封装外壳结构。