[发明专利]一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：包括在基板上设置有两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，分别为第一金属氧化物TFT和第二金属氧化物TFT；

所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层包括第一栅极和驱动信号线；

所述第一金属层之上设置有第一绝缘层；

所述第一绝缘层之上设置有第二金属层，所述第二金属层包括第二栅极；所述第二金属层可选材质同第一金属层；

所述第二金属层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层之上设置有有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层对应第一栅极，所述第二有源层对应第二栅极；所述第一绝缘层和或第二绝缘层上还开设有第一通孔，露出所述第一金属层和或第二金属层的表面；

所述有源层上设有第三金属层，所述第三金属层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极、与所述第二有源层电连接的第二源极和第二漏极、及数据信号线；其中，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层和或第二金属层电连接；

所述第三金属层上设有第三绝缘层；

其中，所述第一栅极对应的膜层结构为所述第一金属氧化物TFT；

所述第二栅极对应的膜层结构为所述第二金属氧化物TFT；

所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同。

2.根据权利要求1所述的一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为

3.根据权利要求1所述的一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层的材质采用单层的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛或氧化铝，或两种以上的上述材质组成的多层结构；所述第一绝缘层和第二绝缘层的材质和结构可相同或不同。

4.根据权利要求1所述的一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述第一栅极和第二栅极的厚度、材质不同，且所述第一栅极和第二栅极的厚度选择范围为

5.根据权利要求1所述的一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：当所述第一金属层采用单层结构时，其材质为铝、钼、钛、镍、铜、银、铌、钽、钨或其合金，当所述第一金属层采用夹层式结构时，其材质为含有有Al或Cu金属的叠层结构。

6.根据权利要求5所述的一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述含有Al或Cu的叠层结构为Al/Mo、Mo/Al/Mo、Al/MoTi、Al/MoAlTi、Al/Ti、Ti/Al/Ti、Cu/Mo、Mo/Cu/Mo、或Cu/Ti。

7.一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、在基板之上成膜制作第一金属层，作为第一栅极或驱动信号线；所述第一金属层可采用单层或夹层式结构；

S2、在第一金属层之上成膜第一绝缘层；

S3、在第一绝缘层之上成膜制作第二金属层，所述第二金属层可选材质同第一金属层；

S4、在第二金属层之上成膜第二绝缘层；

S5、在所述第二绝缘层之上制作有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层对应第一栅极，所述第二有源层对应第二栅极；

有源层制作完之后，在所述第一绝缘层和或第二绝缘层上制备出第一通孔，露出所述第一金属层或第二金属层表面；

S6、在所述有源层之上成膜制作第三金属层，所述第三金属层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极、与所述第二有源层电连接的第二源极和第二漏极、及数据信号线；其中，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层或第二金属层电连接；

S7、在第三金属之上制作第三绝缘层，作为钝化层，材料选择同第一绝缘层；

所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同。