[发明专利]一种基于硅基集成产品开发的射频滤波器在审
| 申请号： | 202211083594.8 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115663424A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王峥;李佳;熊金旺;张志聪;张文锋;张继帆;刘晓伟;陈明川 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 集成 产品 开发 射频 滤波器 | ||
1.一种基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器包括从上至下的第一沉积金属层、第二沉积金属层、第三沉积金属层和第四沉积金属层，所述第四沉积金属层下方设有高阻硅衬底层，所述高阻硅衬底层下方设有过渡层，所述滤波器设有从第二沉积金属层下方贯通至所述过渡层下方的通孔，所述通孔用于实现内部各层互联以及芯片正反面的连接，所述第一沉积金属层顶部还设有外部电连接元件，所述第四沉积金属层和所述第三沉积金属层间还设有电容介质层，所述过渡层下方还设有再分布层和设于所述再分布层下方的沉积凸点下金属层，所述沉积凸点下金属层底部设有外部基板连接件。
2.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器还包括设置于高阻硅衬底层顶部的隔离层和设置于高阻硅衬底层底部的隔离层。
3.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述高阻硅衬底层为减薄的高阻硅基板。
4.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述第四沉积金属层、所述第三沉积金属层和所述电容介质层共同形成极板电容，所述电容介质层包括SiN介质层。
5.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述第三沉积金属层和所述第二沉积金属层通过金属过孔相连，所述第二沉积金属层和所述第一沉积金属层通过金属过孔相连，所述第一沉积金属层和所述第二沉积金属层共同用于制备电感及走线。
6.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述外部电连接元件包括电极金属焊盘。
7.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述通孔包括通过深反应离子工艺刻蚀制成的TSV通孔，所述通孔通过电镀铜工艺覆盖通孔侧壁，所述通孔用于实现所述视频滤波器正反面的互连。
8.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述外部基板连接件包括铜柱锡帽凸点，用于实现所述射频滤波器与外部基板的连接。
9.如权利要求1所述的基于硅基集成产品开发的射频滤波器，其特征在于，所述沉积凸点下金属层通过溅射及光刻工艺实现，用于粘附及扩散阻挡。
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