[发明专利]一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法

权利要求书

1.一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1）准备图形化硅衬底的样品，并测试所述样品的图形化硅衬底的参考面；

2）清洗所述样品；

3）在所述图形化硅衬底上淀积一层SiO₂或氮硅化物;

4）确定光刻条纹方向；

5）对完成步骤3）的样品进行光刻；

6）对完成步骤5）的样品进行腐蚀；

7）对腐蚀后具有斜刻凹槽的样品进行表征，确定斜刻凹槽各表面的类型以及斜刻凹槽的质量；

其中所述步骤1）中所述样品的图形化硅衬底的表面为硅的(113)面，所述步骤1）中测试使用XRD设备对所述参考面进行确定，得到所述参考面为硅的(1-10)面；所述步骤4）中所述的光刻条纹方向沿硅的[21-1]方向，所述光刻条纹方向与参考面法向成73.2°；所述步骤6）中所述腐蚀使用湿法化学腐蚀方法，腐蚀剂为纯度85%的氢氧化钾，其湿法腐蚀的条件为15-45wt%的腐蚀剂氢氧化钾，在温度为30-60℃的水浴锅中腐蚀20-50min；所述步骤7）中样品的斜刻凹槽的三个面分别为硅的(1-11)面、(-11-1)面和(011)面，且其中的(011)面为斜刻凹槽的底部面，所述斜刻凹槽的深度为2-6um，深度指的是从硅片表面到腐蚀最深处的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，其特征在于，所述步骤2）中样品的清洗流程为：去离子水超声清洗25-30min；无水乙醇超声25-30min；去离子水超声25-30min；丙酮超声25-30min；去离子水超声25-30min；将清洗后的样品烘干备用。

3.根据权利要求2所述的制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，其特征在于，所述淀积的SiO₂或氮硅化物的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求3所述的制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，其特征在于，所述光刻过程采用感应耦合等离子体刻蚀除去经光刻暴露出来的SiO₂掩膜层直至硅片表面。