[发明专利]改性聚合物膜的制备方法、改性聚合物膜及其用途

权利要求书

1.一种改性聚合物膜，其特征在于，包括高分子聚合物基膜和表面改性层，所述表面改性层通过等离子体聚合法形成于所述高分子聚合物基膜的至少一个表面。

2.根据权利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述表面改性层的反应原料包括丙烯酸、丙烯腈、烯丙胺、乙二胺、正丙胺、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯以及它们的衍生物和共聚物中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述高分子聚合物基膜的材料包括聚丙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺以及它们的衍生物中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述高分子聚合物基膜的厚度为1μm以上。

5.根据权利要求1～4任一项所述的改性聚合物膜，其特征在于，所述表面改性层的厚度为5～200nm。

6.如权利要求1～5任一项所述的改性聚合物膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对所述高分子聚合物基膜的表面进行等离子体聚合改性，以在其至少一个表面形成所述表面改性层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述高分子聚合物基膜的表面进行等离子体聚合改性时，通入氧气和氩气组成的混合气体以及反应原料；

所述混合气体轰击所述高分子聚合物基膜的表面以提供反应活性位点，所述反应原料通过所述反应活性位点接枝于所述高分子聚合物基膜的表面，从而形成所述表面改性层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，利用等离子体聚合装置对所述高分子聚合物基膜的表面进行等离子体聚合改性；

所述等离子体聚合装置包括射频电源，所述射频电源的频率为3～30MHz；所述等离子体聚合装置的功率为10～50W。

9.根据权利要求6～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体聚合改性的反应时间为1～60min。

10.一种金属化聚合物膜，其特征在于，包括金属层以及权利要求1～5任一项所述的改性聚合物膜或权利要求6～9任一项所述的制备方法制得的改性聚合物膜，所述金属层位于所述改性聚合物膜的至少一个表面改性层上；

可选地，所述金属层的材料包括铜、铜合金、铝、铝合金、镍、镍合金、钛和银中的一种或多种。

11.一种复合集流体，其特征在于，包括权利要求10所述的金属化聚合物膜。

12.根据权利要求11所述的复合集流体，其特征在于，还包括保护层，所述保护层设置于所述金属层的表面；

可选地，所述保护层的材料包括镍、铬、镍基合金、铜基合金、氧化铜、氧化铝、氧化镍、氧化铬、氧化钴、石墨、炭黑、乙炔黑、科琴黑、碳纳米量子点、碳纳米管、碳纳米纤维和石墨烯中的一种或多种；

可选地，所述保护层的厚度为10～200nm；

可选地，所述金属层的厚度为300～2000nm。

13.一种电极极片，其特征在于，包括权利要求11或12所述的复合集流体。

14.一种电池，其特征在于，包括权利要求13所述的电极极片。

15.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求14所述的电池。