[发明专利]图案制备方法、电子器件和三维存储器

权利要求书

1.一种图案制备方法，其特征在于，包括：

在目标刻蚀层上形成沿第一方向排列的多个芯模图案；

形成覆盖所述多个芯模图案的第一材料层，并刻蚀所述第一材料层，以形成沿所述第一方向分布的多个侧墙，所述侧墙形成在所述芯模图案的侧壁上；

去除所述多个芯模图案，形成被所述多个侧墙间隔开的多个槽；

在所述多个侧墙远离所述目标刻蚀层的一侧设置掩膜图案层，所述掩膜图案层包括至少一个掩膜图案，所述掩膜图案具有镂空部；

在对应于所述掩膜图案层和各所述镂空部所占区域以外的区域的槽的位置处，刻蚀所述目标刻蚀层，以形成第一容置槽；在所述槽中与所述镂空部对应的位置处，刻蚀所述目标刻蚀层，以形成第二容置槽；

在所述第一容置槽中形成第一图案，在所述第二容置槽中形成第二图案。

2.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，

所述多个槽包括第二槽；所述第二槽在所述目标刻蚀层上的正投影覆盖所述镂空部在所述目标刻蚀层上的正投影。

3.根据权利要求2所述的图案制备方法，其特征在于，

所述多个槽还包括第一槽；所述第一槽位于相邻两个侧墙之间，且对应于所述掩膜图案层和各所述镂空部所占区域以外的区域；

沿所述第一方向，所述第一槽的宽度小于所述第二槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，

所述图案制备方法还包括：在所述目标刻蚀层上形成第二材料层；以便，所述多个芯模图案形成在所述第二材料层上；

在设置所述掩膜图案层之后，所述图案制备方法还包括：在未被所述掩膜图案层遮挡的槽的位置和所述镂空部未被所述多个侧墙遮挡的位置，刻穿所述第二材料层，以形成硬掩膜图案层；以便，以所述硬掩膜图案层为掩膜刻蚀所述目标刻蚀层，而形成所述第一容置槽和所述第二容置槽。

5.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，

刻蚀所述第一材料层以形成沿所述第一方向分布的所述多个侧墙时，停止在所述第二材料层上。

6.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，

所述第二材料层的材料为多晶硅。

7.根据权利要求4所述的图案制备方法，其特征在于，

所述图案制备方法还包括：形成牺牲层，所述牺牲层至少填充在所述多个槽中；以便，所述掩膜图案层形成在所述牺牲层上；去除所述牺牲层中未被所述掩膜图案层遮挡的部分，得到牺牲保留图案层；以便，以所述牺牲保留图案层以及所述多个侧墙为掩膜刻蚀所述第二材料层，以形成硬掩膜图案层。

8.根据权利要求7所述的图案制备方法，其特征在于，

在形成所述硬掩膜图案层之后，在刻蚀所述目标刻蚀层之前，所述图案制备方法还包括：去除所述牺牲保留图案层以及所述多个侧墙。

9.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，

所述目标刻蚀层包括多个叠置的介质层。

10.根据权利要求1所述的图案制备方法，其特征在于，

在形成所述多个槽之后，所述半导体图案的制备方法还包括：

在所述多个侧墙远离所述目标刻蚀层的一侧形成第一抗反射材料层，以便所述掩膜图案层设置在所述第一抗反射材料层上；

以所述掩膜图案层为掩膜，刻蚀所述第一抗反射材料层，而形成第一抗反射图案层。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的图案制备方法，其特征在于，

在目标刻蚀层上形成沿第一方向排列的多个芯模图案包括：

在所述目标刻蚀层上依次形成第三材料层和第二抗反射材料层；

对所述第三材料层和所述第二抗反射材料层进行刻蚀，而形成多个芯模图案。