[发明专利]基于有机载板的RDL封装结构及制备方法在审
申请号: | 202211085811.7 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN115312469A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 颜国秋;上官昌平;查晓刚;王建彬;付海涛;李君红;杜玲玲 | 申请(专利权)人: | 上海美维科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/535;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201613 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 机载 rdl 封装 结构 制备 方法 | ||
1.一种基于有机载板的RDL封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
有机载板,所述有机载板包括第一表面及相对的第二表面,且所述有机载板中具有贯通槽;
芯片,所述芯片置于所述贯通槽中,且所述芯片的焊盘与所述有机载板的第一表面位于同一侧;
塑封层,所述塑封层填充所述贯通槽,且覆盖所述芯片及所述有机载板的第二表面;RDL复合层,所述RDL复合层位于所述有机载板的第一面上,所述RDL复合层中包括金属连接层,且所述金属连接层与所述焊盘电连接;
阻焊层,所述阻焊层位于所述RDL复合层的表面上,所述阻焊层中具有显露所述金属连接层的凹槽;
锡球,所述锡球位于所述凹槽中,且所述锡球的一端与所述金属连接层电连接,另一端显露于所述阻焊层。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构中包括多个所述芯片,且所述芯片所对应的所述焊盘位于同一平面。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述焊盘与所述有机载板的第一表面位于同一平面。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述RDL复合层中包括叠置的N层所述金属连接层,N≥2。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述RDL复合层中的所述金属连接层的线宽≥1μm,所述RDL复合层中的所述金属连接层的线间距≥1μm。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述RDL复合层中的绝缘介质层包括感光介质层或非感光介质层。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构包括扇出型封装结构或扇入型封装结构。
8.一种基于有机载板的RDL封装结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供有机载板,所述有机载板包括第一表面及相对的第二表面,且所述有机载板中形成有贯通槽;
提供支撑衬底,将所述支撑衬底与所述有机载板的第一表面相贴合;
提供芯片,将所述芯片置于所述贯通槽中,且所述芯片的焊盘朝向所述支撑衬底;形成塑封层,所述塑封层填充所述贯通槽,且覆盖所述芯片及所述有机载板的第二表面;
去除所述支撑衬底,显露所述芯片的焊盘;
于所述有机载板的第一面上形成RDL复合层,所述RDL复合层中包括金属连接层,且所述金属连接层与所述焊盘电连接;
于所述RDL复合层的表面上形成阻焊层;
于所述所述阻焊层中形成凹槽,所述凹槽显露所述金属连接层;
于所述凹槽中形成锡球,且所述锡球的一端与所述金属连接层电连接,另一端显露于所述阻焊层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于:形成的所述RDL复合层中包括叠置的N层所述金属连接层,N≥2。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于:所述RDL复合层中的绝缘介质层包括感光介质层或非感光介质层,当为非感光介质层时,图形化的方法包括镭射,当为感光介质层时,图形化的方法包括干法蚀刻或湿法蚀刻。
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