[发明专利]一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺

说明书

本发明公开了一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺，在酸洗之前增加高压水洗，打掉部分残膜，目的是减少酸浸泡时间，降低部件腐蚀，然后利用氢氟酸、氟化铵和乙二醇混合水溶液进行化学反应的方法对石英部件第一次浸泡去膜，再利用氢氟酸、硝酸混合水溶液对石英部件第二次浸泡，目的是将高压水枪打出来的碎屑腐蚀掉。本发明在去掉石英部件上氧化铝残膜的同时，使对石英部件本体不会受到较大腐蚀，客户端可以进行重复使用，成本大大降低。

技术领域

本发明属于覆膜清洗技术领域，具体涉及一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺。

背景技术

半导体扩散设备的石英部件在主流半导体工厂中都有应用，为芯片制造不可缺少的一个环节，该石英部件主要起到装载硅片的作用，在硅片沉积膜层时，进行快速的运转，使膜层沉积的更均匀，然而石英部件使用一次后，表面的残膜加厚，导致无法再次使用，且该大石英部件为半导体扩散设备机台核心部件，价格昂贵，更换成本较高，因此需要一种对其有效且不伤害工件本身的清洗工艺。

发明内容

为了对石英部件进行有效清洗，以便其重复使用，本发明提供一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺，利用氢氟酸、氟化铵和乙二醇混合水溶液进行化学反应的方法，在有效去除石英部件上的氧化铝残膜的同时，避免石英部件本体受到较大腐蚀。

本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺，包括如下步骤：

a.通过高压水洗的方式去除石英部件表面的部分氧化铝残膜；

b.使用氢氟酸、氟化铵和乙二醇混合水溶液浸泡石英部件，以去除剩余氧化铝残膜；

c.使用超纯水浸泡石英部件，以去除黏附在石英部件表面的乙二醇；

d.拆卸石英部件上的SIC螺丝，对石英部件螺孔位置进行高压水洗，用以清除螺孔内残酸，再对整个石英部件表面进行高压水洗，至表面看不出残膜；

e.使用CDA，即压缩干燥空气将高压水洗后的石英部件吹干；

f.使用氢氟酸、硝酸混合水溶液浸泡石英部件，用以去除石英部件表面碎屑；

g.使用超纯水对石英部件漂洗；

h.使用汽水枪对石英部件整体冲洗，以避免石英部件表面有残酸形成印记；

i.对石英部件进行测量及周转、作业，再次使用汽水枪对石英部件整体冲洗，以清除石英部件表面在周转或作业过程中造成的污染；

j.使用CDA，即压缩干燥空气将汽水枪冲洗后的石英部件吹干，直至石英部件表面看不出水印；

k.对石英部件进行干燥处理。

作为本发明的进一步实施方案，在步骤e使用CDA将石英部件吹干后，若观察到石英部件表面仍有残膜，通过干冰喷砂将石英部件表面残膜清除。

作为本发明的进一步实施方案，步骤b中所述的氢氟酸、氟化铵和乙二醇混合水溶液体积比为NH4F:HF:EG:H2O＝(2～3):2:(10～12):5。

作为本发明的进一步实施方案，上述氢氟酸为浓度49％的溶液，氟化铵浓度≥96％，乙二醇浓度≥99％。

作为本发明的进一步实施方案，步骤f中所述的氢氟酸、硝酸混合水溶液体积比为HF:HNO3:H2O＝(2～3):(3～4):(5～7)。

作为本发明的进一步实施方案，上述氢氟酸为浓度49％的溶液，硝酸为浓度69％的溶液。

作为本发明的进一步实施方案，步骤c与步骤g中所使用的均为电阻率大于或等于15MΩ.CM的超纯水。