[发明专利]交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜在审
| 申请号： | 202211090517.5 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115602411A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王向谦;何开宙;谢明玲;刘斌;李钰瑛 | 申请（专利权）人： | 甘肃省科学院传感技术研究所 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人： | 黄鑫 |
| 地址： | 730030 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交换 偏置 连续 调控 垂直 各向异性 人工合成 反铁磁 耦合 多层 | ||
1.交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，由下而上依次包括：衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层；其中，人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成，所述人工合成反铁磁层结构为[Co/Ni]N1/隔离层/[Ni/Co]N2，隔离层下面的复合磁性层中，Co层在下，Ni层在上，[Ni/Co]的周期数N2为1-6；隔离层上面的复合磁性层中，Ni层在下，Co层在上，[Co/Ni]的周期数N1为1-6。
2.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述人工合成反铁磁层中，Co层厚度为0.25-0.35nm，Ni层的厚度为0.35-1.25nm。
3.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述隔离层材质为金属Ir，隔离层厚度为0.75-10.5nm。
4.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述隔离层材质为金属Pt、W、Hf、Ta、Ru、Rh或Pd制成，隔离层厚度为0.75-10.5nm。
5.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述衬底为硅基衬底或玻璃衬底。
6.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述缓冲层材质为金属Ta，缓冲层厚度为4.5-5.5nm。
7.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述种子层材质为金属Pt，种子层厚度为7.5-8.5nm。
8.根据权利要求1所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，其特征在于，所述覆盖层材质为金属Ta，覆盖层厚度为1-2nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜在制备磁性薄膜材料方面的应用。
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