[发明专利]一种宽光谱光源及其制备方法

权利要求书

1.一种宽光谱光源，其特征在于，包括：

合金座、LED芯片和荧光粉胶；

所述合金座用于固定LED芯片；

所述LED芯片包括紫光芯片、蓝光芯片、红外线芯片以及近红外线芯片；

所述荧光粉胶涂覆于所述LED芯片上。

2.根据权利要求1所述的宽光谱光源，其特征在于，所述紫光芯片的波段范围为400-455nm；所述蓝光芯片的波段范围为470-472.5nm；所述红外线芯片的波段范围为780-1100nm；所述近红外线芯片的波段范围为1100-2526nm。

3.根据权利要求1或2所述的宽光谱光源，其特征在于，所述荧光粉胶由硅胶和荧光粉组成，所述荧光粉的激发波长与所述LED芯片发光波长相适应。

4.根据权利要求3所述的宽光谱光源，其特征在于，所述荧光粉包括黄色荧光粉、红色荧光粉、730nm波段荧光粉、800nm波段荧光粉、840nm波段荧光粉以及900nm波段荧光粉，所述硅胶与所述黄色荧光粉、所述红色荧光粉、所述730nm波段荧光粉、所述800nm波段荧光粉、所述840nm波段荧光粉以及所述900nm波段荧光粉的质量比为(95-105)：(1.9-2.1)：(1.9-2.1)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)。

5.根据权利要求1所述的宽光谱光源，其特征在于，所述合金座的组分包括铝、铜、硅和碳，对应的质量比为(80±5％)：(10±5％)：(5±5％)：(5±5％)。

6.根据权利要求1所述的宽光谱光源，其特征在于，所述合金座为带电路的LED支架，所述LED芯片通过固晶焊或共晶焊连接在电路上。

7.一种宽光谱光源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S10，将铝组分、铜组分、硅组分以及碳组分按照预设质量比进行配料、混料，并投入高温炉里加工出合金座；

步骤S20，打开自动固晶机，预热后，使用所述自动固晶机将紫光芯片、蓝光芯片、红外线芯片以及近红外线芯片摆放在所述合金座上，并送入烘箱烘烤直至固化完好，制得芯片固化半成品；

步骤S30，将硅胶和荧光粉按照配方质量比在自动搅拌机里，搅拌均匀，并抽真空，制得荧光粉胶，其中，配方质量比为硅胶：黄色荧光粉：红色荧光粉：730nm波段荧光粉：800nm波段荧光粉：840nm波段荧光粉：900nm波段荧光粉＝(95-105)：(1.9-2.1)：(1.9-2.1)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)：(0.95-1.05)；

步骤S40，打开自动点胶机预热，将所述芯片固化半成品送入自动点胶机，将所述荧光粉胶均匀涂布于所述紫光芯片、所述蓝光芯片、所述红外线芯片以及所述近红外线芯片上；

步骤S50，将步骤S40处理后的样品送入烘箱进行固化烘烤，得到宽光谱光源。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述烘烤温度为140～160℃。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述固化烘烤的固化温度为115～125℃，固化时间为2-3h。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述得到宽光谱光源的步骤之后还包括：

将所述宽光谱光源放入宽光谱测试仪或者光谱分析仪中进行性能测试。