[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板烧平方法

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，包括：

采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块；

提供第一模具，在所述第一模具的第一模槽中依次制作第一隔离层和第一牺牲层后，将所述待处理巴块放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块；

对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理；

提供第二模具，在所述第二模具的第二模槽中依次制作第二隔离层和第二牺牲层后，将所述第二模具层叠于所述第一模具上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块；

将层叠后的所述第一模具和所述第二模具以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结；

排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层、所述第二隔离层、第一牺牲层、第二牺牲层和所述待处理巴块的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一牺牲层和所述第二牺牲层采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

4.根据权利要求3所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一隔离层和所述第二隔离层采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：

逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，所述待处理巴块瓷化。

6.根据权利要求5所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块，包括：

排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出所述待处理巴块。

7.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

在所述对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理之后，在所述提供第二模具之前，所述方法还包括：

将所述待处理巴块切割为至少两个目标巴块。

8.根据权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：

逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，各个所述目标巴块瓷化。

9.根据权利要求8所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块，包括：

所述排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出各个所述目标巴块。

10.根据权利要求1至9任一项所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。