[发明专利]一种多晶硅耗尽效应的改善方法

说明书

本申请公开了一种多晶硅耗尽效应的改善方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：源漏极离子注入之后形成源区和漏区，注入离子为Boron，且注入剂量为3.7‑4.5E15；在源区的第二侧墙处进行湿法刻蚀，形成金属硅化物阻挡层；对多晶硅采用尖峰退火工艺进行退火处理；本发明通过增加PPlus源漏极离子注入的剂量，改善硼在多晶硅中的分布，抑制了多晶硅耗尽效应，使得多晶硅厚度对PMOS阈值电压的影响降低，PMOS稳定性得到改善。PPlus剂量增加导致的PMOS器件漂移可以通过NW及Halo调回至器件的理想状态，同时可靠性不会受到影响。

技术领域

本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种多晶硅耗尽效应的改善方法。

背景技术

55nm Nor flash PMOS器件的栅极多晶硅采用P型硼杂质掺杂，硼在多晶硅中的分布不均匀，靠近栅氧处形成多晶硅耗尽，PMOS器件的阈值电压随着多晶硅的厚度波动较大，CPK长期Fail，器件性能较差。降低多晶硅厚度能改善耗尽，但HVLDD会打穿多晶硅。

本发明在此背景下，提出了一种改善PMOS栅极多晶硅耗尽的方法。

发明内容

本申请提供了一种多晶硅耗尽效应的改善方法，可以解决相关技术中的上述问题。

本申请实施例提供了一种多晶硅耗尽效应的改善方法，包括：

源漏极离子注入之后形成源区和漏区，注入离子为Boron，且注入剂量为3.7-4.5E15；

在所述源区的第二侧墙处进行湿法刻蚀，形成金属硅化物阻挡层；

对多晶硅采用尖峰退火工艺进行退火处理。

可选的，所述源漏极离子注入之后形成源区和漏区之前，所述方法还包括：

提供一衬底，形成有源区；

形成Trench沟槽，并在所述Trench沟槽内填充隔离介质层；

在形成有所述源区的衬底中进行阱注入；

在所述阱表面形成栅氧层；

在所述栅氧层表面形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层形成目标器件尺寸；

形成第一侧墙和所述第二侧墙。

可选的，所述衬底形成所述有源区，包括：

通过光刻工艺在所述衬底形成所述有源区。

可选的，所述形成第一侧墙和所述第二侧墙，包括：

进行LVPLDD的注入；

通过炉管及刻蚀工艺形成所述第一侧墙和所述第二侧墙。

可选的，所述源漏极离子注入之后形成源区和漏区，包括：

在所述阱处注入源漏极离子形成所述源区和所述漏区。

可选的，所述形成Trench沟槽，包括：

在所述衬底的上表面形成硬质掩膜层；

以所述硬质掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀形成所述Trench沟槽。

可选的，所述在形成有所述源区的衬底中进行阱注入，包括：

通过离子注入方式向所述衬底中打入离子形成所述阱。

可选的，所述在所述阱表面形成栅氧层，包括：

通过ISSG或炉管工艺在所述阱表面形成所述栅氧层。

可选的，所述衬底为硅衬底，所述硅衬底上设有外延层。