[发明专利]晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法在审
| 申请号： | 202211097560.4 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN116190261A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标识 部位 加工 方法 制备 | ||
1.一种晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，包括：
S100，将晶圆键合至玻璃载板；
S200，采用隐形激光工艺对所述晶圆的预设部位进行激光改质，形成改质区域，所述改质区域与标识部位相对应；
S300，至少保留所述改质区域与所述玻璃载板之间的键合连接，对所述晶圆与所述玻璃载板间的其余部分位置进行解键合；
S400，分离所述晶圆和所述玻璃载板，使所述晶圆的改质区域部位滞留于所述玻璃载板，以在所述晶圆形成标识部位。
2.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，步骤S100中采用黏着剂键合所述晶圆和所述玻璃载板。
3.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，步骤S200中，从所述晶圆的侧面进行隐形激光工艺。
4.根据权利要求3所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，通过调整隐形激光工艺的工作参数，从所述晶圆的侧面由外之内形成所述改质区域。
5.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，步骤S300中，保留的键合连接位置的面积大于所述改质区域的投影面积。
6.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，步骤S400中，采用具有吸附孔的石墨载板真空吸附所述晶圆，使所述晶圆与所述玻璃载板分离。
7.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，在采用隐形激光工艺对所述晶圆的预设部位进行激光改质前，所述方法还包括：将所述晶圆研磨至预设厚度范围。
8.根据权利要求1所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，所述晶圆的预设厚度范围为100～300μm。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的晶圆的标识部位的加工方法，其特征在于，所述晶圆为SiC晶圆。
10.一种具有标识部位的晶圆的制备方法，其特征在于，包括：
A100，采用如权利要求1-9中任一项所述的晶圆的标识部位的加工方法制备晶圆的标识部位；
A200，在标识部位的标识作用下，进行晶圆的正面和背面器件的制备工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司，未经中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211097560.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
