[发明专利]氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件

权利要求书

1.一种氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，包括：

将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中，每浸泡5min-15min，将所述衬底向上提升8mm～1cm，直至所述衬底完全脱离液体表面；

将刻蚀后的所述衬底清洗并干燥；然后将所述衬底进行外延生长并对外延片进行流片处理，获得氮化物器件；

在所述氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对所述多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据所述最优位置，确定所述氮化物器件的最优厚度；

所述衬底具有提出端和相对的最底端；

所述将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中包括：

将所述衬底竖直浸入所述刻蚀液，使所述衬底全部浸没在所述刻蚀液的液面以下，且所述最底端位于所述液面下最低处，所述提出端位于所述液面下最高处。

2.根据权利要求1所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述每浸泡5-15min，将所述衬底向上提升8.5mm～1cm。

3.根据权利要求1所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述提出的过程，保持所述衬底的所述提出端相对固定；所述提出端最先提出于所述刻蚀液的液面，所述最底端最后提出于所述刻蚀液的液面。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述刻蚀液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液质量浓度为10％～50％。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底的制备方法包括：

利用磁控溅射法在所述衬底表面制备形成所述氮化物单晶薄膜；

制备的所述氮化物单晶薄膜厚度为100nm～5μm。

6.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述衬底为α相单晶蓝宝石，晶向包括：(0001)Al₂O₃、

7.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述衬底包括2寸晶圆、4寸晶圆或者6寸晶圆。

8.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，所述衬底包括单面抛光或者双面抛光。

9.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述衬底表面结构包括平片衬底、表面图形化衬底或者纳米表面图形化衬底。

10.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述进行外延生长包括：将清洗后的所述衬底置于金属有机物气相外延中进行器件的外延生长。

11.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述氮化物器件包括：UVC-LED器件、UVB-LED器件。

12.根据权利要求11所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，

所述多个测试结果包括：所述氮化物器件为UVB-LED器件时最适合生长UVB-LED正向导通电压；或者所述氮化物器件为UVC-LED器件时，最适合生长UVC-LED波长。