[发明专利]基于甲基胺铅卤钙钛矿单晶薄膜的可见光窄波段光电探测器

权利要求书

1.基于甲基胺铅卤钙钛矿单晶薄膜的可见光窄波段光电探测器，其特征在于：所述可见光窄波段光电探测器是在玻璃基板上设置有特定厚度的甲基胺铅卤钙钛矿单晶薄膜，在所述甲基胺铅卤钙钛矿单晶薄膜上设置有金叉指电极；所述甲基胺铅卤钙钛矿单晶薄膜与金叉指电极之间呈现欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的可见光窄波段光电探测器，其特征在于：

所述可见光窄波段光电探测器在使用时，入射光从玻璃基板一侧照射，通过改变甲基胺铅卤钙钛矿单晶中卤素原子的比例调节其带隙以控制单晶响应的截止波段，同时利用载流子收集窄化机制通过控制单晶厚度来实现对短波光的自滤波作用，从而使器件实现对可见光的窄波段响应。

3.根据权利要求1或2所述的可见光窄波段光电探测器，其特征在于：通过空间限域模板法实现对所述甲基胺铅卤钙钛矿单晶厚度的调控。

4.根据权利要求3所述的可见光窄波段光电探测器，其特征在于，所述甲基胺铅卤钙钛矿单晶的制备方法为：

将两片玻璃基板和特定厚度的聚四氟乙烯薄膜依次经过丙酮、乙醇、去离子水清洗；

将其中一片玻璃基板置于氧等离子体清洗机中进行亲水处理；

将聚四氟乙烯薄膜修剪成U型并夹在两片玻璃基板之间，组成三明治结构，用燕尾夹将此结构固定，获得钙钛矿单晶生长的限域空间；

将甲基胺铅卤钙钛矿前驱体溶液从聚四氟乙烯薄膜的U型开口处注入两片玻璃基板之间，干燥后，取下未经亲水处理的玻璃基板，即在亲水处理的玻璃基板上生长出与聚四氟乙烯薄膜等厚度的甲基胺铅卤钙钛矿单晶；

将生长有甲基胺铅卤钙钛矿单晶的玻璃基板置于电子束蒸发镀膜系统中蒸镀金叉指电极，即获得可见光窄波段光电探测器。

5.根据权利要求3所述的可见光窄波段光电探测器，其特征在于：所述甲基胺铅卤钙钛矿单晶的厚度为190-210μm。

6.根据权利要求1或2所述的可见光窄波段光电探测器，其特征在于：所述金叉指电极的厚度在45-55nm之间。