[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供具有电极端子的半导体元件的工序；

保护层形成工序，在所述半导体元件上形成保护层，该保护层具有面向所述电极端子的第1面和与所述第1面相反的第2面；

提供压印模具的工序，该压印模具具有第3面和从所述第3面突起的突起部；

保护层开口工序，以所述压印模具的所述第3面与所述保护层的所述第2面对置且所述突起部与所述电极端子对齐的方式，将所述压印模具配置在所述保护层的所述第2面上，通过将所述突起部插入所述保护层而在所述保护层形成开口部；

保护层固化工序，向所述保护层施加能量，从而使所述保护层固化；

显影工序，使所述保护层与显影液反应，从而使所述开口部沿径向扩展；

金属填充工序，向所述开口部填充金属而形成凸块；和

剥离工序，将所述保护层从所述电极端子剥离，

所述保护层开口工序在所述保护层的所述第2面与所述压印模具的所述第3面之间设置有间隙的状态下进行。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述保护层开口工序中，沿着所述开口部的开口周缘形成所述保护层的隆起部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述显影工序中，所述开口部被形成为该开口部的开口宽度朝向所述电极端子扩展的倒锥形状。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述金属填充工序中，所述金属被填充至所述隆起部为止。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述保护层形成工序之前，还包括形成覆盖所述电极端子的表面的晶种层的工序，

在所述保护层形成工序中，在所述晶种层上形成所述保护层。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述保护层开口工序以分步重复方式进行。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述保护层固化工序中，经由所述压印模具向所述保护层施加能量。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过向所述压印模具照射紫外线光，从而所述能量被施加于所述保护层，所述压印模具的透光率低于所述保护层的透光率。

9.一种半导体装置，具备：

半导体元件，具有电极端子；和

凸块，形成在所述电极端子上，具有基端、与所述基端相反的前端、和所述基端与所述前端之间的中间部，

所述凸块具有锥形部和倒锥形部，所述锥形部位于所述基端与所述中间部之间，从所述基端朝向所述中间部变细，所述倒锥形部位于所述中间部与所述前端之间，从所述中间部朝向所述前端变粗，所述中间部成为凹陷部。