[发明专利]一种量子点叠层太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述电池包括前电池、透明导电中间层、后电池和对电极；

所述前电池包括导电衬底、氧化物半导体薄膜和半导体量子点薄膜；

所述透明导电中间层为ITO薄膜；

所述后电池包括氧化物半导体薄膜和半导体量子点薄膜。

2.根据权利要求1所述的量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜为ZnO纳米颗粒薄膜；所述半导体量子点薄膜为量子点－卤化铅复合薄膜。

3.根据权利要求2所述的量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述量子点－卤化铅复合薄膜为PbS量子点－卤化铅复合薄膜。

4.根据权利要求1所述的量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述对电极为金属电极；所述导电衬底为导电玻璃。

5.一种量子点叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1、以氧化物半导体材料、量子点和卤化铅的顺序，在导电衬底的上表面分别涂覆氧化物半导体材料、量子点和卤化铅，获得前电池；

步骤S2、在步骤S1获得的所述前电池上涂覆透明导电中间层材料，获得覆盖有透明导电中间层的前电池；

步骤S3、以氧化物半导体材料、量子点和卤化铅的顺序，在步骤S2获得的所述透明导电中间层的表面上分别涂覆氧化物半导体材料、量子点和卤化铅涂覆氧化物半导体材料，获得前电池－透明导电中间层－后电池复合物；

步骤S4、在所述前电池－透明导电中间层－后电池复合物的后电池表面沉积金属电极，获得所述量子点叠层太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述氧化物半导体材料为ZnO纳米颗粒；所述量子点为PbS量子点；所述卤化铅为碘化铅；所述透明导电中间层材料为ITO。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1、步骤S2和步骤S3中，所述涂覆为旋涂，所述旋涂的转速为2000rpm/min，所述旋涂的时间为120s。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，涂覆所述透明导电中间层材料的条件为：1.5mTorr气压和Ar气环境。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述金属电极沉积的速度为0.1nm/s。

10.根据权利要求5或9所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述金属电极为厚度100nm的金电极。