[发明专利]半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成多个栅极结构；

在相邻的所述栅极结构的侧壁，以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层；

对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀，形成多个沟槽；

对所述沟槽的表面进行湿法刻蚀，使得所述栅极结构底部特征尺寸大于或等于有源区的顶部特征尺寸；

在所述沟槽的侧壁和底部形成氧化层；

在所述刻蚀阻挡层和所述氧化层上形成栅介质层，所述栅介质层覆盖相邻的所述栅极结构之间的空隙，以形成向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；

对所述栅极结构上的栅介质层以及所述栅极结构中的部分硬掩膜层进行化学机械研磨，以露出所述栅极结构；

回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分栅介质层，以露出所述栅极结构的部分侧壁；

对漏出的所述部分侧壁进行湿法清洗。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层上形成多个栅极结构，包括：

在所述绝缘层上依次形成浮置栅极结构层和硬掩膜层；

刻蚀所述浮置栅极结构层和硬掩膜层，形成多个栅极结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述刻蚀阻挡层的厚度的取值区间为1nm至10nm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层和所述氧化层为衬垫氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述衬垫氧化层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述栅极结构两侧的衬底内形成有源区和漏极区。

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为低介电常数的材料。

8.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为隧穿氧化层，所述隧穿氧化层的端部突出延伸至所述浅沟槽隔离结构中。

9.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的半导体器件制造方法。