[发明专利]用于固态硬盘的地址映射方法及控制系统

说明书

本发明公开了一种用于固态硬盘的地址映射方法及控制系统，用于固态硬盘的地址映射方法包括：获取主机操作命令中的逻辑地址；根据所述逻辑地址，查询一级映射表以获得二级映射表的存储位置；以及根据所述二级映射表的存储位置，访问所述二级映射表以获得所述逻辑地址对应的物理页地址，其中，所述二级映射表的存储位置包括主机内存缓冲区HMB，根据所述主机操作命令的模式动态切换所述主机内存缓冲区HMB的访问模式。通过判断二级映射表的存储位置，当二级映射表的存储位置在主机内存缓冲区HMB时，根据主机操作命令的模式动态切换所述主机内存缓冲区HMB的访问模式，以提高存储器的适应性以及访问效率。

技术领域

本发明涉及SSD映射表管理技术领域，特别涉及一种用于固态硬盘的地址映射方法及控制系统。

背景技术

主机内存缓冲区(Host Memory Buffer，HMB)功能允许SSD(Solid State Drive，固态硬盘)主控芯片像使用SSD上的DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)一样使用主机DRAM。即主机在其主存当中划分出一片内存(该内存在物理地址上可以不连续)给SSD使用。

目前主流的SSD一般有两种设计，一种是带DRAM的，DRAM可用于缓存数据和映射表；另一种是不带DRAM的(即DRAM-Less方案)，其映射表采用二级映射，一级映射和少量二级映射存储于SRAM(Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器)当中，二级映射数据存储于NAND闪存当中。对于DRAM-Less方案而言，当用户读取的逻辑页对应的二级映射不存在于SRAM时，查询二级映射表的流程从原先的“从一级映射表中获取二级映射表在NAND当中的存储地址，再从NAND当中获取二级映射表”变为“从一级映射表中获取二级映射表在HMB当中的存储地址，再从HMB当中获取二级映射表”。由于访问HMB的性能高于访问NAND的性能，从HMB当中获取二级映射表将减小查询L2P产生的时间开销，从而在一定程度上提升读性能。

但是在现有技术中，不论顺序或随机读(一条操作命令对应的逻辑页地址是否连续)，都读取逻辑页集合。例如只有一个逻辑页地址在逻辑页集合中，仍然读取整个逻辑页集合，时间开销大，数据传输利用率低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种用于固态硬盘的地址映射方法及控制系统，从而解决上述提到的技术问题，提高数据传输利用率。

根据本发明的一方面，提供一种用于固态硬盘的地址映射方法，包括：获取主机操作命令中的逻辑地址；根据所述逻辑地址，查询一级映射表以获得二级映射表的存储位置；以及根据所述二级映射表的存储位置，访问所述二级映射表以获得所述逻辑地址对应的物理页地址，其中，所述二级映射表的存储位置包括主机内存缓冲区HMB，根据所述主机操作命令的模式动态切换所述主机内存缓冲区HMB的访问模式。

优选地，所述主机操作命令的模式包括随机模式和顺序模式，所述主机内存缓冲区HMB的访问模式包括与所述随机模式相对应的第一访问模式，以及与所述顺序模式相对应的第二访问模式。

优选地，在所述第一访问模式中，直接从所述主机内存缓冲区HMB中获取到单个逻辑页对应的物理页地址。

优选地，其中，在所述第二访问模式中，从所述主机内存缓冲区HMB中获取当前逻辑页所在的逻辑页集合对应的二级映射表。

优选地，所述二级映射表的存储位置还包括本地缓存SRAM和存储器闪存，所述访问所述二级映射表以获得所述逻辑地址对应的物理页地址还包括：当所述二级映射表存储在本地缓存SRAM中时，直接读取所述本地缓存SRAM中的二级映射表以获得所述物理页地址；当所述二级映射表存储在存储器闪存中时，将所述存储器闪存中的二级映射表缓存在本地缓存SRAM中，将缓存到SRAM的二级映射表更新至主机内存缓冲区HMB中，以及读取所述二级映射表以获得所述物理页地址。