[发明专利]一种制备芳香族氮化碳暖白光发光二极管的方法在审
| 申请号： | 202211109718.5 | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115589758A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 邢军;王云虎;张明明 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H10K85/10 | 分类号： | H10K85/10;H10K50/11;H10K71/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 芳香族 氮化 白光 发光二极管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备芳香族氮化碳暖白光发光二极管的方法，其特征在于：器件发射层采用芳香族氮化碳。
2.根据权利要求1所述的暖白光发光二极管，其特征在于：器件结构采用单组分发射层设计。
3.根据权利要求1、2所述的暖白光发光二极管，其特征在于：设计了器件结构为氧化铟锡(ITO)/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)/聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB，2.5mg ml-1)/聚(9-乙烯基咔唑)(PVK，2.5mg ml-1)/芳香族氮化碳(PhCN，5nm)/4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM，40nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)的暖白光发光二极管。
4.根据权利要求3所述的暖白光发光二极管，其特征在于：器件实现了功率效率为2.05lm W-1、亮度为1880cd m-2的明亮暖白光电致发光。
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