[发明专利]用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法

权利要求书

1.一种用于PoP封装的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一支撑衬底，于所述支撑衬底上形成第一重新布线层，所述第一重新布线层具有相对设置的第一主面和第二主面，形成第一重新布线层的步骤包括：形成图形化的第一无机介质层，以及形成第一金属布线层；

于所述第一重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将所述半导体芯片分别电性耦合至所述第一重新布线层的第一主面，所述混合键合结构包括于所述第一重新布线层的第一主面上形成的第一键合层；

于所述第一重新布线层的第一主面上形成塑封层以构成封装层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片；

于所述第一重新布线层的第二主面上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层具有相对设置的第一主面和第二主面，所述第二重新布线层包括于所述第二重新布线层的第一主面显露的第二金属布线层，所述第二金属布线层与所述第一重新布线层的第二主面电性相连。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：重复执行形成图形化的第一无机介质层以及形成第一金属布线层的步骤至少一次。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：去除所述支撑衬底的步骤包括：采用机械研磨工艺对所述支撑衬底进行减薄处理，然后采用化学机械抛光工艺去除剩余的所述支撑衬底，其中所述支撑衬底为硅基衬底。

4.根据权利要求1或2所述的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，于所述第一重新布线层的第一主面上形成第一键合层的步骤包括：

于所述第一重新布线层的第一主面上形成第一钝化层；

通过光刻工艺和刻蚀工艺于所述第一钝化层中形成开孔，于所述开孔中镀覆金属以形成第一焊盘。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于：所述第一无机介质层的材料包括氮化硅和氮氧化硅中的一种，所述第一金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

6.根据权利要求1所述的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，形成第二重新布线层的步骤还包括：

于所述第二重新布线层的第二主面上形成显露第二金属布线的开口；

于所述开口上形成凸块下金属层；

通过植球回流于所述开口内形成焊球。

7.一种用于PoP封装的扇出型封装单元，其特征在于，包括：

第一重新布线层，具有相对设置的第一主面和第二主面，所述第一重新布线层的第一主面上设置有第一键合层，所述第一重新布线层包括在垂直方向上堆叠的第一无机介质层和第一金属布线层；

混合键合结构，位于所述第一重新布线层的第一主面上且设置成将半导体芯片电性耦合至所述第一重新布线层的第一主面以通过所述第一重新布线层实现所述半导体芯片之间的互连，所述半导体芯片覆盖有塑封层以构成封装层；

第二重新布线层，具有相对设置的第一主面和第二主面，所述第二重新布线层包括于所述第二重新布线层的第一主面显露的第二金属布线层，所述第二金属布线层与所述第一重新布线层的第二主面电性相连，以实现所述半导体芯片和所述第一重新布线层的电性引出。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装单元，其特征在于：所述导电互连包括设置于所述第二重新布线层的第二主面上的焊球阵列，焊球各自设置于所述凸块下金属层上，用于实现与外部的芯片或封装单元的导电互连。

9.根据权利要求7所述的扇出型封装单元，其特征在于：所述混合键合结构设置成通过所述第一键合层与半导体芯片表面设置的第二键合层于两者的界面直接键合，所形成的键合界面具有小于10微米的互连节距。

10.根据权利要求7所述的扇出型封装单元，其特征在于：所述半导体芯片包括有源器件和无源器件，所述有源器件与所述无源器件并排布置。

11.一种PoP封装结构，其特征在于，包括：根据权利要求7至10任意一项所述的扇出型封装单元，所述扇出型封装单元堆叠设置于封装基板上。