[发明专利]一种小尺寸焊点阵列的制备方法在审
| 申请号： | 202211119570.3 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115497841A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 解晓辉;林春;张文杰;张锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种小尺寸焊点阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一，在基底(1)上通过光刻工艺制备出在待生长焊点位置开孔的光刻胶掩膜(2)；
步骤二，在光刻胶掩膜(2)覆盖的基底(1)上通过薄膜生长系统沉积一层附加膜(3)；
步骤三，在附加膜(3)生长完成后，采用相应的薄膜生长系统，生长焊点薄膜(4)；
步骤四，使用化学有机试剂，湿法剥离掉光刻胶掩膜(2)和上面覆盖的附加膜(3)和焊点薄膜(4)，完成焊点阵列制备。
2.根据权利要求1所述的小尺寸焊点阵列的制备方法，其特征在于，所述的附加膜(3)和焊点薄膜(4)通过离子束辅助沉积系统、热蒸发系统、电子束蒸发系统或者磁控溅射方法制备。
3.根据权利要求1所述的小尺寸焊点阵列的制备方法，其特征在于，所述的附加膜(3)为Ti、Cu、Au或Ag金属膜。
4.根据权利要求1所述的小尺寸焊点阵列的制备方法，其特征在于，所述焊点薄膜(4)为Sn、In或Al金属薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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