[发明专利]一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法

权利要求书

1.一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法，其特征在于：先在绝缘基材上测试单脉冲与材料反应后的微坑直径大小和深度的关系曲线，涂覆一层抗活化膜，使用激光先进行钻孔，然后按照电路图案轨迹以特定的激光加工方式加工，加工后基材表面图案部分有矩阵阵列的若干微坑，活化、沉铜时，铜只在激光钻孔和加工过的部位沉积，激光未加工过的部位不沉积，加厚铜层，得到有电路导线的电路板；相邻的两个微坑之间的距离d的范围为：0＜d＜1mm，所述微坑的径深比β的范围为0.1＜β＜1000；使铜层与绝缘基材之间有足够的结合力；

所述制造方法包括以下步骤：

1)激光测试；

2)涂覆抗活化膜；

3)激光钻孔；

4)激光加工图形；

5)活化、沉铜、电镀。

2.根据权利要求1所述的一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法，其特征在于：所述单脉冲激光束参数范围为：波长：266nm-10700nm；脉冲宽度：10fs-1000μs；脉冲重复率：1KHz-100MHz；平均功率：1W-10000W。

3.根据权利要求1所述的一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法，其特征在于：所述步骤1)中，使用脉冲激光，以单脉冲激光束的形式扫描基材表面，在表面形成微坑，测量形成的微坑的直径和深度；改变单脉冲激光束能量和加工次数，得出不同能量和加工次数下微坑的直径大小和深度的关系曲线。

4.根据权利要求1所述的一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法，其特征在于：所述步骤2)中，抗活化膜为是固态膜或液态膜；与未覆膜的同型号的绝缘基材相比，覆膜后的基材不吸附活化剂或者少吸附活化剂。

5.根据权利要求1所述的一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法，其特征在于：所述步骤4)中，选取一个激光能量大小，根据单脉冲反应后的微坑直径大小d1，设置大于直径的激光扫描路径间距和扫描速度/频率，即，激光扫描路径间距d＝扫描速度/频率，d的范围是：d1＜d＜dmax，dmax为结合力恰好低于规定值时的间距，扫描后得到的具有矩阵阵列微坑的基材。