[发明专利]一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法

权利要求书

1.一种抗噪声辐射探测电路，其特征在于，包括半导体探测器模块(1)、电流脉冲生成模块(2)、前置放大模块(3)、极零相消模块(4)和滤波成形模块(5)；

所述半导体探测器模块(1)和电流脉冲生成模块(2)的输出端均与前置放大模块(3)的输入端连接，所述前置放大模块(3)的输出端与极零相消模块(4)的输入端连接，所述滤波成形模块(5)的输入端与极零相消模块(4)的输出端连接；

所述半导体探测器模块(1)能够对辐射源进行探测，输出辐射探测信号；

所述电流脉冲生成模块(2)能够生成电流脉冲信号，以模拟半导体探测器模块(1)产生的信号；

所述前置放大模块(3)能够对辐射探测信号或电流脉冲信号进行一次放大；

所述极零相消模块(4)能够放大后的辐射探测信号或电流脉冲信号进行基线恢复；

所述滤波成形模块(5)能够对基线恢复后的辐射探测信号或电流脉冲信号进行二次放大和滤波。

2.如权利要求1所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，所述半导体探测器模块(1)包括限流电阻(R1)和探测器(DET)，所述探测器(DET)的一端连接限流电阻(R1)的一端，探测器(DET)的另一端连接信号地，所述限流电阻(R1)的另一端连接高压电。

3.如权利要求1所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，电流脉冲生成模块(2)包括第一分压电阻(R2)、第二分压电阻(R3)和精密电阻(R4)，所述第一分压电阻(R2)的一端与所述第二分压电阻(R3)的一端连接，所述第一分压电阻(R2)的另一端连接信号发生器，所述第二分压电阻(R3)的另一端连接信号地，所述精密电阻(R4)的一端与所述第二分压电阻(R3)的一端连接，所述精密电阻(R4)的另一端与前置放大模块(3)连接。

4.如权利要求1所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，所述前置放大模块(3)包括第一放大器(A1)、泄放电阻(Rf)和积分电容(Cf)，所述第一放大器(A1)的负向输入端分别与所述泄放电阻(Rf)的一端和积分电容(Cf)的一端连接，所述泄放电阻(Rf)的另一端和积分电容(Cf)的另一端均与所述第一放大器(A1)的输出端连接，所述第一放大器(A1)的正向输入端连接信号地。

5.如权利要求4所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，所述极零相消模块(4)包括所述极零相消模块包括第一电阻(Rp)和第一电容(C0)，所述第一电阻(Rp)的一端与所述第一电容(C0)的一端连接，所述第一电阻(Rp)的另一端与所述第一电容(C0)的另一端连接，所述第一电容(C0)的一端与所述前置放大模块的输出端连接，所述第一电容(C0)的另一端与所述滤波成形电路的输入端连接。

6.如权利要求5所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，所述滤波成形模块(5)包括第二放大器(A2)、第三放大器(A3)、第二电阻(RS)、第三电阻(R0)、第二电容(CS)、第四电阻(R5)和第五电阻(R6)，所述第二放大器(A2)的正向输入端连接第三电阻(R0)的一端，所述第二放大器(A2)的负向输入端分别与第二电阻(RS)的一端和第二电容(CS)的一端连接，所述第二电阻(RS)的另一端和第二电容(CS)的另一端均与第二放大器(A2)的输出端连接，所述第三放大器(A3)的正向输入端与第二放大器(A2)的输出端连接，所述第三放大器(A3)的负向输入端分别与第四电阻(R5)的一端与第五电阻(R6)的一端连接，所述第四电阻(R5)的另一端连接信号地，第五电阻(R6)的另一端连接，所述第三放大器(A3)的输出端。

7.如权利要求6所述的抗噪声辐射探测电路，其特征在于，所述第一放大器(A1)、第二放大器(A2)和第三放大器(A3)均采用AD8066芯片。