[发明专利]用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED

权利要求书

1.一种用于深紫外LED的外延结构，其特征在于，包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N-AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、非掺P-Al_xGa_1-xN气氛转变层、非掺P-Al_yGa_1-yN层、重掺P-Al_zGa_1-zN层和P型接触层；其中，所述电子阻挡层为Al_γGa_1-γN层，γ为0.6-0.8，x为0.2-0.4，y为0.2-0.4，z为0.2-0.5，且x=y＜z，（x+y）=（1.1~1.4）z；所述重掺P-Al_zGa_1-zN层中Mg的掺杂浓度为5×10¹⁹-8×10²⁰cm^-3；

所述电子阻挡层的生长气氛为N₂和NH₃的混合气体，N₂与NH₃的体积比为1:（1-5）；

所述非掺P-Al_yGa_1-yN层、重掺P-Al_zGa_1-zN层的生长气氛为N₂、NH₃和H₂的混合气体，N₂、NH₃和H₂的体积比为1:（2-5）:10；

所述非掺P-Al_xGa_1-xN气氛转变层的生长气氛由N₂和NH₃的混合气体渐变为H₂、N₂和NH₃的混合气体。

2.如权利要求1所述的用于深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述非掺P-Al_xGa_1-xN气氛转变层的厚度为1-10nm，所述非掺P-Al_yGa_1-yN层的厚度为2-20nm，所述重掺P-Al_zGa_1-zN层的厚度为5-100nm。

3.如权利要求1所述的用于深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述非掺P-Al_yGa_1-yN层的厚度为所述非掺P-Al_xGa_1-xN气氛转变层的厚度的1-2倍，所述重掺P-Al_zGa_1-zN层的厚度为所述非掺P-Al_yGa_1-yN层的厚度的2-5倍。