[发明专利]多频段低噪声放大器及通信设备在审
申请号: | 202211125968.8 | 申请日: | 2022-09-16 |
公开(公告)号: | CN115208338A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 苏俊华;郭嘉帅 | 申请(专利权)人: | 深圳飞骧科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F1/12;H03F1/26;H04B1/16 |
代理公司: | 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 | 代理人: | 刘伟 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区南头街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 频段 低噪声放大器 通信 设备 | ||
1.一种多频段低噪声放大器,其特征在于,包括多个信号输入端、与所述多个信号输入端一一对应连接的多个第一电感、与所述多个第一电感一一对应连接的多个开关切换单元、旁路匹配网络、共源级放大单元、输出匹配网络、电阻衰减网络、旁路输出开关、放大输出开关以及信号输出端;
每个所述开关切换单元包括第一开关和第二开关,所述共源级放大单元包括第一晶体管、第二晶体管、隔直电容、稳压电容、扼流电感以及反馈电感;
其中,每个所述第一电感的第一端连接至对应的信号输入端,每个所述开关切换单元的第一开关的第一端和第二开关的第一端均连接至对应的第一电感的第二端,所述第一开关的第二端连接至所述旁路匹配网络的输入端,所述第二开关的第二端连接至所述隔直电容的第一端,所述隔直电容的第二端连接至所述第一晶体管的栅极,所述第一晶体管的源极通过所述反馈电感接地,所述第一晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的源极,所述第二晶体管的栅极通过所述稳压电容接地,所述第二晶体管的漏极通过所述扼流电感连接供电电压VDD,所述输出匹配网络的输入端连接至所述第二晶体管的漏极,所述输出匹配网络的输出端通过所述放大输出开关与所述电阻衰减网络的输入端连接,所述旁路匹配网络的输出端通过所述旁路输出开关与所述电阻衰减网络的输入端连接,所述电阻衰减网络的输出端连接至所述信号输出端。
2.根据权利要求1所述的多频段低噪声放大器,其特征在于,每个所述开关切换单元还包括第三开关,每个所述第三开关的第一端连接至对应的第一电感的第二端,每个所述第三开关的第二端接地。
3.根据权利要求1所述的多频段低噪声放大器,其特征在于,所述输出匹配网络包括第一可变电容器;
所述第一可变电容器的第一端为所述输出匹配网络的输入端,与所述第二晶体管的漏极连接,所述第一可变电容器的第二端为所述输出匹配网络的输出端,与所述放大输出开关连接。
4.根据权利要求3所述的多频段低噪声放大器,其特征在于,所述第一可变电容器包括第一电容组、第二电容组以及第三电容组;
所述第一电容组包括一个或并联的多个第一电容支路,每个所述第一电容支路包括相连接的第一电容和第一电容切换开关,所述第二电容组包括一个或并联的多个第二电容支路,每个所述第二电容支路包括相连接的第二电容和第二电容切换开关,所述第三电容组包括一个或并联的多个第三电容支路,每个所述第三电容支路包括相连接的第三电容和第三电容切换开关;
其中,所述第一电容支路的第一端与所述第二电容支路的第一端相连接以作为所述第一可变电容器的第一端,所述第一电容支路的第二端与所述第三电容支路的第一端相连接以作为所述第一可变电容器的第二端,所述第二电容支路的第二端和所述第三电容支路的第二端均接地。
5.根据权利要求1所述的多频段低噪声放大器,其特征在于,所述电阻衰减网络包括第四开关和可变电阻器;
所述第四开关的第一端和所述可变电阻器的第一端相连接以作为所述电阻衰减网络的输入端,与所述旁路输出开关和所述放大输出开关连接,所述第四开关的第二端和所述可变电阻器的第二端相连接以作为所述电阻衰减网络的输出端,与所述信号输出端连接。
6.根据权利要求5所述的多频段低噪声放大器,其特征在于,所述可变电阻器包括第一电阻组、第二电阻组以及第三电阻组;
所述第一电阻组包括一个或并联的多个第一电阻支路,每个所述第一电阻支路包括相连接的第一电阻和第一电阻切换开关,所述第二电阻组包括一个或并联的多个第二电阻支路,每个所述第二电阻支路包括相连接的第二电阻和第二电阻切换开关,所述第三电阻组包括一个或并联的多个第三电阻支路,每个所述第三电阻支路包括相连接的第三电阻和第三电阻切换开关;
其中,所述第一电阻支路的第一端与所述第二电阻支路的第一端相连接以作为所述可变电阻器的第一端,所述第一电阻支路的第二端与所述第三电阻支路的第一端相连接以作为所述可变电阻器的第二端,所述第二电阻支路的第二端和所述第三电阻支路的第二端均接地。
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