[发明专利]一种具有低辐射功能的PDLC薄膜制备方法

权利要求书

1.一种具有低辐射功能的PDLC薄膜制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：

S1、Low-E镀层和第一ITO导电镀层的复合：取40-200um厚度的PET薄膜，对其一面进行复合Low-E镀层和第一ITO导电镀层，获得具有Low-E与导电功能的第一PET复合薄膜；

S2、离型膜的复合：另取40-200um厚度的PET薄膜一面通过涂布机涂上压敏胶，烘干后与离型膜贴合；

S3、第二ITO导电镀层的复合：将步骤S2复合好的PET薄膜送入卷绕式磁控镀膜机内，其另一面进行复合第二ITO导电镀层，得到第二PET复合薄膜；

S4、PET膜的复合：将步骤S1和步骤S3中加工好的第一PET复合薄膜和第二PET复合薄膜，使第一ITO导电镀层和第二ITO导电镀层相对放置，采用卷对卷工艺，将配好的液晶与UV胶水混合液注入导电膜之间；

S5、UV照射，固化收卷：经过对向的两根挤压辊压匀，将辊压复合后的薄膜进行UV照射，固化后收卷，得到具有Low-E调光功能的PDLC薄膜。

2.根据权利要求1所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，先将PET薄膜送入卷绕式磁控镀膜机内，进行Low-E镀层的复合，然后再继续镀第一ITO导电镀层。

3.根据权利要求2所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述Low-E镀层为单银Low-E、双银Low-E或三银Low-E，单银Low-E、双银Low-E或三银Low-E均包括多个膜层。

4.根据权利要求1所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，利用磁控溅射卷绕式镀膜机，将Low-E镀层与第一ITO导电镀层同步完成复合。

5.根据权利要求1所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，采用的涂布方法为：线棒式涂布、刮刀涂布、狭缝涂布、辊涂和微凹涂布中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，胶层厚度为8-30um。

7.根据权利要求6所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，胶层厚度为20um。

8.根据权利要求7所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，压敏胶的剥离力为100-800克/厘米，离型膜厚度为23-75um。

9.根据权利要求1所述的PDLC薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤S5中，通过调节两挤压辊间的间隙来控制液晶与UV胶水混合液厚度，调整间隙为10-15um。

10.一种基于权利要求1至9任一所述的制备方法制备的PDLC薄膜，其特征在于：所述的PDLC薄膜包括从上往下依次层叠的抗划涂层、第一PET复合薄膜、PDLC液晶层和第二PET复合薄膜；其中，第一PET复合薄膜包括从上至下依次复合的PET薄膜、Low-E镀层和导电层；第二PET复合薄膜包括从上至下依次复合的导电层、PET薄膜、安装胶层和离型膜层。