[发明专利]三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法在审
申请号: | 202211127588.8 | 申请日: | 2022-09-16 |
公开(公告)号: | CN115346967A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 何正鸿;张超;何林 | 申请(专利权)人: | 甬矽半导体(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L25/04 | 分类号: | H01L25/04;H01L23/538;H01L23/552;H01L21/60;H01L21/50 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 堆叠 屏蔽 结构 方法 | ||
1.一种三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,包括:
第一基底,所述第一基底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面设有焊盘一,所述第二表面设有焊盘二,所述焊盘一和所述焊盘二相对设置且电连接,所述焊盘一和所述焊盘二中至少一者接地;其中,所述焊盘二包括两个不同位置的焊接点;
多个金属柱,每个所述金属柱电连接于所述焊盘一,所述金属柱开设有通孔,所述通孔贯穿所述焊盘一、所述第一基底和所述焊盘二;
芯片一,所述芯片一电连接于所述第一基底,且位于多个所述金属柱围成的区域内;
多个电连线弧,每个所述电连线弧的两端分别连接在所述焊盘二的两个所述焊接点,且所述电连线弧呈隆状凸设于所述第二表面;
第二基底,所述第二基底设有芯片二;所述第二基底电连接于所述第二表面,且部分或全部所述芯片二位于多个所述电连线弧之间。
2.根据权利要求1所述的三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,还包括塑封体和屏蔽金属层,所述塑封体塑封所述第一基底和所述第二基底,所述金属柱露出所述塑封体;
所述屏蔽金属层设于所述塑封体外侧,且与所述金属柱电连接。
3.根据权利要求2所述的三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,所述屏蔽金属层填充所述通孔,且填充并包裹所述电连线弧。
4.根据权利要求3所述的三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,所述塑封体包括中间层塑封体和外层塑封体,所述中间层塑封体填充至所述第一基底和所述第二基底之间,且所述电连线弧形成隆状空腔结构,所述隆状空腔结构内填充所述屏蔽金属层;
所述外层塑封体塑封所述第一基底,所述屏蔽金属层设于所述外层塑封体。
5.根据权利要求4所述的三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,同一所述电连线弧上,两侧线弧之间的第一距离为W,所述电连线弧的隆状高点与所述第二基底之间的第二距离为H,所述中间层塑封体的颗粒直径大于所述第一距离W且大于所述第二距离H。
6.根据权利要求1所述的三维堆叠屏蔽结构,其特征在于,所述第一基底的第二表面设有焊盘三,所述焊盘三设有金属球,所述金属球与所述第二基底电连接;所述金属球位于多个所述电连线弧围成的区域之内或之外。
7.一种三维堆叠屏蔽方法,其特征在于,包括:
提供第一基底;所述第一基底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面设有焊盘一,所述第二表面设有焊盘二,所述焊盘一和所述焊盘二相对设置且电连接,所述焊盘一和所述焊盘二中至少一者接地;其中,所述焊盘二包括两个不同位置的焊接点;
在所述第一基底上设置多个金属柱;其中,每个所述金属柱电连接于所述焊盘一,所述金属柱开设有通孔,所述通孔贯穿所述焊盘一、所述第一基底和所述焊盘二;
在所述第一基底上贴装芯片一;其中,所述芯片一位于多个所述金属柱围成的区域内;
设置多个电连线弧;其中,每个所述电连线弧的两端分别连接在所述焊盘二的两个所述焊接点,且所述电连线弧呈隆状凸设于所述第二表面;
提供第二基底;其中,所述第二基底设有芯片二;
贴装所述第一基底至所述第二基底;其中,所述第二基底电连接于所述第二表面,且部分或全部所述芯片二位于多个所述电连线弧之间。
8.根据权利要求7所述的三维堆叠屏蔽方法,其特征在于,还包括:
塑封所述第一基底和所述第二基底,形成塑封体;
在所述塑封体上设置屏蔽金属层;其中,所述屏蔽金属层与所述金属柱电连接;所述屏蔽金属层填充所述通孔,且填充并包裹所述电连线弧。
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