[发明专利]存储设备以及用于校准该设备和制造该设备的方法在审

专利信息
申请号: 202211128836.0 申请日: 2022-09-16
公开(公告)号: CN116092540A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 金周焕;朴俊容;卞辰瑫;申光燮;申殷昔;赵泫润;崔荣暾;崔桢焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白;倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 设备 以及 用于 校准 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于校准存储设备的方法,包括:

使用初始上拉代码和初始下拉代码测量第一上拉电路、第二上拉电路、第三上拉电路、第一下拉电路、第二下拉电路和第三下拉电路的线性度以获得测量结果,所述第一上拉电路、所述第二上拉电路和所述第三上拉电路中的每一个上拉电路具有基于相应的上拉代码而确定的相应的电阻值,并且所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路中的每一个下拉电路具有基于相应的下拉代码而确定的相应的电阻值;以及

基于所述测量结果确定校准设置指示器,所述校准设置指示器指示包括所述第一上拉电路、所述第二上拉电路、所述第三上拉电路、所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路在内的发送驱动器的校准方法。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,测量所述线性度包括:

在向所述发送驱动器施加多个电压电平时,测量所述第一上拉电路、所述第二上拉电路、所述第三上拉电路、所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路的多个电阻值。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,

所述多个电阻值包括在向所述发送驱动器施加所述多个电压电平时测量的所述第一上拉电路的第一电阻值;以及

测量所述线性度包括:

响应于所述第一电阻值在误差范围内,确定所述第一上拉电路是线性的;以及

响应于所述第一电阻值超出所述误差范围,确定所述第一上拉电路是非线性的。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述校准设置指示器包括确定测试模式寄存器设置TMRS值。

5.根据权利要求4所述的方法,还包括:

基于所述TMRS值执行熔断。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述校准方法是ZQ校准方法。

7.根据权利要求1所述的方法,还包括:

基于所述校准设置指示器来确定所述第一上拉电路、所述第二上拉电路和所述第三上拉电路中的每一个上拉电路的所述相应的上拉代码;以及

基于所述校准设置指示器来确定所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路中的每一个下拉电路的所述相应的下拉代码。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,

确定所述相应的上拉代码包括:响应于具有第一值的所述校准设置指示器,确定将所述第一上拉电路、所述第二上拉电路和所述第三上拉电路中的每一个上拉电路的所述相应的上拉代码设置为所述初始上拉代码;以及

确定所述相应的下拉代码包括:响应于具有所述第一值的所述校准设置指示器,确定将所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路中的每一个下拉电路的所述相应的下拉代码设置为所述初始下拉代码。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,

确定所述相应的上拉代码包括:响应于具有第二值的所述校准设置指示器,通过执行多次第一搜索循环来确定所述第一上拉电路、所述第二上拉电路和所述第三上拉电路中的每一个上拉电路的所述相应的上拉代码;以及

确定所述相应的下拉代码包括:响应于具有所述第二值的所述校准设置指示器,确定将所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路中的每一个下拉电路的所述相应的下拉代码设置为所述初始下拉代码。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,

确定所述相应的上拉代码包括:响应于具有第三值的所述校准设置指示器,确定将所述第一上拉电路、所述第二上拉电路和所述第三上拉电路中的每一个上拉电路的所述相应的上拉代码设置为所述初始上拉代码;以及

确定所述相应的下拉代码包括:响应于具有所述第三值的所述校准设置指示器,通过执行多次第二搜索循环来确定所述第一下拉电路、所述第二下拉电路和所述第三下拉电路中的每一个下拉电路的所述相应的下拉代码。

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