[发明专利]氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，

包含：

氧化钼M1，包含MoO₂和MoO₃，在上述MoO₂及MoO₃中，MoO₂的含量为50重量百分比至90重量百分比；

第一金属氧化物M2，包含选自由Nb、Ta、Zr、Ti、Sn及W组成的组中的一种以上的第一元素；

第二金属氧化物M3，包含选自由In、Ga、Si及Zn组成的组中的一种以上的第二元素；以及

选自由Mo、Ti、Cr、W及Cu组成的组中的一种以上的金属M4，

相对于相应烧结体的总重量，至少包含60重量百分比以上的氧化钼M1。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对于100重量百分比的相应氧化物烧结体，包含1.0重量百分比至5.0重量百分比的上述金属M4。

3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第一金属氧化物M2包含选自由Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、TiO₂、SnO₂及WO₃组成的组中的一种以上。

4.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对于100重量百分比的相应氧化物烧结体，包含15重量百分比以上的上述第一金属氧化物M2，为满足100重量百分比的相应烧结体的余量范围。

5.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第二金属氧化物M3包含选自由In₂O₃、Ga₂O₃、SiO₂及ZnO组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，

相对于100重量百分比的相应氧化物烧结体，包含60重量百分比至70重量百分比的上述氧化钼和上述第二金属氧化物，

上述氧化钼与上述第二金属氧化物的含量比例为92：8至95：8的重量比。

7.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，电阻率为1×10^-2Ωcm以下，相对密度为95％以上。

8.一种溅射靶材，其特征在于，包含权利要求1至7中任一项所述的烧结体。

9.一种氧化物薄膜，其特征在于，由权利要求8所述的溅射靶材制成。

10.根据权利要9所述的氧化物薄膜，其特征在于，

在热处理前，在550nm波长处的光反射率R₁为12.0％以下，

在以350℃的温度条件热处理30分钟以上后，在550nm波长处的光反射率R₂为12.0％以下。

11.根据权利要9所述的氧化物薄膜，其特征在于，在以350℃的温度条件热处理30分钟以上后的光反射率R₂与热处理前的光反射率R₁之差R₂-R₁小于0.2％。

12.一种薄膜晶体管，其特征在于，将权利要求9所述的氧化物薄膜用作栅极层、源极层及漏极层中的一个。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的氧化物薄膜。