[发明专利]具有可配置内部错误校正模式的存储器装置在审

专利信息
申请号: 202211130001.9 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN115437830A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: S·E·谢弗;A·P·贝姆 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F11/10;G06F12/02;G11C7/10;G11C11/22;G11C11/4096;G11C29/42;G11C29/44;G11C29/52
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 配置 内部 错误 校正 模式 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,其中所述存储器装置经配置以:

使用第一码字大小配置或第二码字大小配置执行操作,其中所述第一码字大小配置与第一数量的数据位及第一数量的错误校正码ECC位相关联,且其中所述第二码字大小配置与第二数量的数据位及第二数量的ECC位相关联,且其中所述存储器装置经配置以:

当配置为所述第一码字大小配置时,以第一模式操作,所述第一模式用于以所述第一数量的ECC位对多个码字同时执行多个单错误校正SEC操作;及

当配置为所述第二码字大小配置时,以第二模式操作,所述第二模式用于以所述第二数量的ECC位对单个码字执行单错误校正双错误检测SECDED操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置包括:

经配置以执行所述多个SEC操作或所述SECDED操作的电路系统。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述电路系统包括用于使用所述第一数量的ECC位来执行所述SEC操作的第一电路系统及用于使用所述第一数量的ECC位来执行所述SEC操作的第二电路系统,且其中,当以用于以所述第二数量的ECC位执行所述SECDED操作的所述第二模式操作时,所述第一电路系统和所述第二电路系统经配置以使用所述第二数量的ECC位来执行所述SECDED操作。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置进一步经配置以:

至少部分地基于以所述第一模式或所述第二模式操作,来校正从主机装置接收到的数据中的错误,其中所述第一模式和所述第二模式与检测和校正单位错误相关联,且所述第二模式另外与检测双位错误相关联。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置包括存储器阵列,所述存储器阵列包括在多行的每一行中的多个存储器单元,其中所述多个存储单元包括与存储所述第一数量的数据位或所述第二数量的数据位相关联的存储器单元的第一部分,和与存储所述第一数量的ECC位或所述第二数量的ECC位相关联的存储器单元的第二部分。

6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中ECC位的所述第二数量小于ECC位的所述第一数量的两倍。

7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中数据位的所述第一数量是128,且ECC位的所述第一数量是8。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中数据位的所述第二数量是256,且ECC位的所述第二数量是10。

9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一码字大小配置与第一数据通道宽度相关联,且所述第二码字大小配置与不同于所述第一数据通道宽度的第二数据通道宽度相关联。

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