[发明专利]半导体开关及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体开关，其特征在于，包括：

HEMT异质结构层，所述HEMT异质结构层上设有金属电极；

应力缓冲层，固定在所述HEMT异质结构层的上侧，与所述金属电极连接；

PAD金属层，固定在所述应力缓冲层的上侧，通过所述应力缓冲层与所述金属电极连接。

2.如权利要求1所述的半导体开关，其特征在于，所述应力缓冲层包括柔性金属结构，所述柔性金属结构设置在所述金属电极与所述PAD金属层之间。

3.如权利要求2所述的半导体开关，其特征在于，所述柔性金属结构包括若干由柔性金属构造的若干金属鳍片，各个所述金属鳍片相互平行，且均垂直固定在所述金属电极和所述PAD金属层之间。

4.如权利要求2所述的半导体开关，其特征在于，所述应力缓冲层还包括若干支撑柱，所述支撑柱包裹在所述柔性金属结构内，所述支撑柱的两端分别与所述金属电极和所述PAD金属层连接。

5.如权利要求4所述的半导体开关，其特征在于，各个所述支撑柱的横截面均为正六边形。

6.如权利要求4所述的半导体开关，其特征在于，所述柔性金属结构的材质包括铝或铜；各个所述支撑柱的材质包括二氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求1-6任一项所述的半导体开关，其特征在于，所述HEMT异质结构层包括衬底、沟道层和势垒层；

所述衬底、所述沟道层和所述势垒层由下至上依次层叠设置，所述金属电极固定在所述势垒层上。

8.如权利要求7所述的半导体开关，其特征在于，所述金属电极包括栅极电极、源极电极和漏极电极，所述源极电极的上方和所述漏极电极的上方均固定有对应的所述应力缓冲层和所述PAD金属层。

9.如权利要求8所述的半导体开关，其特征在于，所述金属电极还包括若干连接金属层，所述源极电极与对应的所述应力缓冲层之间以及所述漏极电极与对应的所述应力缓冲层之间均设有若干所述连接金属层，所述连接金属层用于多个所述半导体开关之间的相互连接。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括逻辑控制电路和多个如权利要求1-9任一项所述的半导体开关，所述逻辑控制电路设置在所述应力缓冲层和所述HEMT异质结构层之间，用于电连接各个所述金属电极。