[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，具有通过将包括如下(a)、(b)、(c)和(d)的循环进行预定次数从而在基板上形成含有硅、预定元素和氮的膜的工序，

(a)向所述基板供给含有硅的第一气体而形成第一层的工序，

(b)向所述基板供给含有硅且分子结构与所述第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序，

(c)向所述基板供给含有所述预定元素的第三气体的工序，和

(d)向所述基板供给含有氮的第四气体来对所述第一层和所述第二层进行改性的工序；

作为所述预定元素，使用能够在所述膜中形成缺陷的元素，

在所述循环中，按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(b)(d)或(c)(a)(c)(b)(d)中的任一顺序进行(a)～(d)的各工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

使(a)的实施期间的至少一部分与(c)的实施期间的至少一部分重叠。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

不使(c)的实施期间与(b)的实施期间重叠。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

不使(c)的实施期间与(d)的实施期间重叠。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述循环中，按照(a)(c)(b)(d)的顺序进行(a)～(d)的各工序。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述循环中，按照(c)(a)(b)(d)的顺序进行(a)～(d)的各工序。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在所述循环中，按照(c)(a)(c)(b)(d)的顺序进行(a)～(d)的各工序。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

作为所述第一气体，使用不含Si-Si键的气体，

作为所述第二气体，使用含有Si-Si键的气体。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

作为所述预定元素，使用碳或硼中的至少任一种。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

作为所述第三气体，使用选自由烃系气体、胺系气体、氯化硼系气体和氢化硼系气体组成的组中的至少任一种气体。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

使所述膜中的所述预定元素的浓度为5原子％以下。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，

使所述膜中的所述预定元素的浓度为1原子％以上。

13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述膜是非易失性存储单元的电荷捕获膜。

14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述循环还包括(e)向所述基板供给含有第二预定元素的第五气体的工序，

使(c)的实施期间的至少一部分与(e)的实施期间的至少一部分重叠。

15.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述循环还包括(e)向所述基板供给含有第二预定元素的第五气体的工序，

使(c)的实施期间与(e)的实施期间连续。