[发明专利]一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202211133712.1 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115223961B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 姜旭波;杨晓俊;尹飞 | 申请（专利权）人： | 中科华艺（天津）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 李震勇 |
| 地址： | 300304 天津市东丽区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 qfn 外形 氮化 半导体器件 | ||
1.一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓 MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接；
两个所述管脚靠近基岛一侧经过半蚀刻处理，所述增强型硅基MOSFET的G极与其中一个管脚的半蚀刻区域通过第三导线电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与另一个管脚的半蚀刻区域通过第四导线电连接，两块所述管脚的半蚀刻区域被环氧树脂包裹，使得第三导线、第四导线和管脚的半蚀刻区域固定，所述管脚的非半蚀刻区域暴露在环氧树脂外部。
2.根据权利要求1所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述基岛表面中部设有绝缘层，耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极分别通过第一导线与基岛电连接；所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极通过第二导线电连接，且第二导线置于绝缘层上方。
3.根据权利要求2所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述绝缘层为陶瓷基板，所述陶瓷基板的面积小于基岛的面积。
4.根据权利要求2所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述第一导线与基岛上表面边缘电连接。
5.根据权利要求3所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述陶瓷基板的两侧板面分别电镀有导电层。
6.根据权利要求1所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述基岛固定耗尽型氮化镓 MOSFET和一个增强型硅基MOSFET的板面被环氧树脂包裹，基岛另一面暴露在环氧树脂外部。
7.根据权利要求1所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述基岛一侧或多侧边缘开有锁胶槽口。
8.根据权利要求1所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：两所述管脚边缘向外延伸出锁胶头。
9.根据权利要求1所述的一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，其特征在于：所述基岛背离硅基MOSFET和氮化镓MOSFET一侧板面边缘通过半蚀刻处理，且半蚀刻处理区域与环氧树脂封装为一体，基岛未经过半蚀刻处理的部为暴露在环氧树脂外部。
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