[发明专利]体声波谐振装置及其形成方法有效
申请号: | 202211134351.2 | 申请日: | 2022-09-19 |
公开(公告)号: | CN115242215B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | 汤正杰;邹雅丽;杨新宇 | 申请(专利权)人: | 常州承芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/13;H03H9/02;H03H3/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张瑞 |
地址: | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种体声波谐振装置,其特征在于,包括:
基底;
中间层,所述中间层包括相对的第一侧和第二侧,所述基底位于所述第一侧,所述中间层包括空腔,所述空腔的开口位于所述第二侧;
电极结构,位于所述空腔内;
压电层,位于所述第二侧且位于所述电极结构上,所述压电层至少覆盖所述空腔;
调频层,位于所述第二侧且位于所述压电层上方,所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频层在所述基底上的投影范围内,所述中间层和所述调频层分别位于所述压电层的两侧,所述电极结构和所述调频层分别位于所述压电层的两侧。
2.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述调频层包括凹槽,所述电极结构在所述基底上的投影位于所述凹槽在所述基底上的投影范围内。
3.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述调频层的调频区域包括多个凹槽,所述电极结构在所述基底上的投影位于所述调频区域在所述基底上的投影范围内。
4.如权利要求3所述的体声波谐振装置,其特征在于,多个所述凹槽在所述调频区域内均匀分布。
5.如权利要求1、2或3所述的体声波谐振装置,其特征在于,还包括:温度补偿层,位于所述第二侧且位于所述压电层上,所述压电层和所述调频层分别位于所述温度补偿层两侧。
6.如权利要求1、2或3所述的体声波谐振装置,其特征在于,还包括:温度补偿层,位于所述空腔内且至少覆盖所述电极结构,所述压电层位于所述温度补偿层上。
7.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述电极结构包括:沿第一方向平行排布的第一总线和第二总线,所述第一总线连接若干沿第二方向平行排布的第一电极条,所述第二总线连接若干沿所述第二方向平行排布的第二电极条,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述第一电极条和所述第二电极条交错放置。
8.如权利要求7所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述第一电极条和所述第二电极条的宽度相等;所述第一电极条和所述第二电极条具有第一宽度尺寸,相邻的所述第一电极条的中轴和所述第二电极条的中轴具有第一中心尺寸,所述第一中心尺寸与所述第一宽度尺寸的比值范围为:1.2~20。
9.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述基底的材料包括:硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷或聚合物。
10.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述中间层的材料包括:聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
11.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述电极结构的材料包括:钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴和钛中的一种或多种。
12.如权利要求1所述的体声波谐振装置,其特征在于,所述调频层的材料包括金属或绝缘电介质;其中金属包括:钼、钌、钨、铂、铱、镁、铝、铍、铜、金、铬、钴或钛;绝缘电介质包括:氮化硅、氧化硅、氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、氮化铝、砷化镓或氮化镓。
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