[发明专利]一种全彩化倒装发光二极管芯片单元、制备方法及显示屏

权利要求书

1.一种全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，包括若干发光二极管芯片组、以及分别层叠于所述发光二极管芯片组两侧的全彩化层和驱动层，所述发光二极管芯片组包括三个可独立发光的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底和层叠在所述衬底上的外延层，所述全彩化层包括层叠于远离所述外延层一端的所述衬底上的量子点围坝层、嵌设于所述量子点围坝层中的量子点、层叠于所述量子点围坝层和所述量子点上的量子点保护层、以及层叠于所述量子点保护层上的油墨层，其中，所述量子点包括第一量子点、第二量子点以及第三量子点，所述第一量子点、所述第二量子点以及所述第三量子点分别与所述发光二极管芯片匹配，用于在所述发光二极管芯片发出的光的作用下，激发出不同颜色的光，所述油墨层开设有与所述发光二极管芯片匹配的透光孔；

所述驱动层包括依次层叠于所述外延层上的第一绝缘层、驱动导电层、第二绝缘层以及焊球，所述第一绝缘层上开设有与所述发光二极管芯片中的电极匹配的第一通孔，所述第一通孔用于实现所述电极与所述驱动导电层的连接，所述第二绝缘层上开设有第二通孔，所述第二通孔用于实现所述驱动导电层与所述焊球的连接。

2.根据权利要求1所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述电极包括P型电极和N型电极，所述驱动导电层包括相互独立的列驱动导电层和行驱动导电层，所述列驱动导电层和所述行驱动导电层用于分别将各所述发光二极管芯片中的所述P型电极和所述N型电极电性连接。

3.根据权利要求2所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述列驱动导电层和所述行驱动导电层的线宽均为1-100um。

4.根据权利要求2所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述列驱动导电层和所述行驱动导电层的材料为Cr、Al、AlCu、Ti、Pt、Ni、Au、AuSn、Cu中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述第一量子点、所述第二量子点以及所述第三量子点位于同一平面。

6.根据权利要求1所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述第一量子点用于在所述发光二极管芯片发出的光的作用下，激发出红光，所述第二量子点用于在所述发光二极管芯片发出的光的作用下，激发出绿光，所述第三量子点用于在所述发光二极管芯片发出的光的作用下，激发出蓝光。

7.根据权利要求1所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述量子点围坝层包括预设周期个交替生长的SiO₂层和Ti₃O₅层。

8.根据权利要求1所述的全彩化倒装发光二极管芯片单元，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料均为SiO₂、TiO₂、Ti₃O₅、Al₂O₃、SiN中的一种或多种的组合。