[发明专利]一种传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种传感器的制备方法，其特征在于，用于制备一种传感器，所述传感器包括玻璃基底、由所述玻璃基底向外延伸出的应力隔离层以及由所述应力隔离层朝远离所述玻璃基底方向延伸出的敏感元件，其中，所述应力隔离层的刚度低于所述玻璃基底和所述敏感元件的刚度，所述制备方法包括：

制备所述敏感元件和预设厚度的所述应力隔离层；

将所述敏感元件、所述应力隔离层以及所述玻璃基底依次并排对齐摆放，并放入等离子激发设备当中进行预处理，其中，所述敏感元件、所述应力隔离层以及所述玻璃基底之间按预设间隔距离放置；

将经过所述预处理的所述敏感元件、所述应力隔离层以及所述玻璃基底在预设时间内贴合完成键合连接。

2.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述应力隔离层的材料为聚二甲基硅氧烷。

3.根据权利要求2所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述应力隔离层的厚度为10～2000μm。

4.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述制备敏感元件和预设厚度的应力隔离层的步骤包括：

将所述应力隔离层和玻璃基底打孔，以在所述应力隔离层和所述玻璃基底上分别形成第一通孔和第二通孔。

5.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述制备预设厚度的应力隔离层的步骤中，首先将聚二甲基硅氧烷与固化剂按预设比例均匀混合后，倒入模具中，以形成所述预设厚度的所述应力隔离层。

6.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述预处理的步骤中，在所述等离子激发设备通入氧气，并控制氧气压力、激发等离子的射频源功率、处理时间。

7.根据权利要求6所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述氧气压力为10~300Pa，所述射频源功率为10~100W，所述处理时间为10~100s。

8.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述预设时间为0~30min。

9.根据权利要求1所述的传感器的制备方法，其特征在于，所述预设间隔距离为1~10mm。